[发明专利]不对称光纤耦合器有效

专利信息
申请号: 201480009487.8 申请日: 2014-01-31
公开(公告)号: CN105103019B 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: N·高德鲍特;C·布杜;W-J·马多雷;S·莱米尔-雷纳德;X·达克斯海莱特;M·勒杜司 申请(专利权)人: 波利瓦勒有限合伙公司
主分类号: G02B6/26 分类号: G02B6/26;G02B6/036
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 段登新
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
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摘要: 描述了一种光纤耦合器,其中至少一个光纤是多包层光纤,其包含支持单引导模式的单模芯以及引导多个模式的内多模包覆。该多包层光纤与具有不同集光率的第二光纤熔合以创建具有增强的多模信号传输的光纤耦合器。
搜索关键词: 不对称 光纤 耦合器
【主权项】:
1.一种光纤耦合器,包括:第一光纤,其具有位于第一末端和第二末端之间的第一串扰部分,并具有第一单模芯、至少一个内多模包覆、以及第一外包覆,所述第一串扰部分具有第一集光率;第二光纤,其具有位于第三末端和第四末端之间的第二串扰部分,所述第二串扰部分具有第二集光率,所述第二集光率形成与和所述第一集光率有关的集光率比不同的集光率比;以及耦合区域,在其中所述第一串扰部分光耦合于所述第二串扰部分;其中所述集光率比指示从所述第二末端处的第一光纤的至少一个内多模包覆到所述第二光纤的所述第三末端的多模信号的50%以上的提取,同时维持所述第一单模芯中的单模信号;所述第一光纤的所述至少一个内多模包覆的第一横截面面积不同于所述第二光纤的第二横截面面积;所述至少一个内多模包覆中的内侧包覆被削锥以形成内单模包覆,使得所述第一单模芯的基础模式被绝热地转换成所述内单模包覆的基础模式,并且所述内单模包覆被转换成单模引导区。
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