[发明专利]不对称光纤耦合器有效
申请号: | 201480009487.8 | 申请日: | 2014-01-31 |
公开(公告)号: | CN105103019B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | N·高德鲍特;C·布杜;W-J·马多雷;S·莱米尔-雷纳德;X·达克斯海莱特;M·勒杜司 | 申请(专利权)人: | 波利瓦勒有限合伙公司 |
主分类号: | G02B6/26 | 分类号: | G02B6/26;G02B6/036 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 段登新 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不对称 光纤 耦合器 | ||
1.一种光纤耦合器,包括:
第一光纤,其具有位于第一末端和第二末端之间的第一串扰部分,并具有第一单模芯、至少一个内多模包覆、以及第一外包覆,所述第一串扰部分具有第一集光率;
第二光纤,其具有位于第三末端和第四末端之间的第二串扰部分,所述第二串扰部分具有第二集光率,所述第二集光率形成与和所述第一集光率有关的集光率比不同的集光率比;以及
耦合区域,在其中所述第一串扰部分光耦合于所述第二串扰部分;
其中所述集光率比指示从所述第二末端处的第一光纤的至少一个内多模包覆到所述第二光纤的所述第三末端的多模信号的50%以上的提取,同时维持所述第一单模芯中的单模信号;
所述第一光纤的所述至少一个内多模包覆的第一横截面面积不同于所述第二光纤的第二横截面面积;
所述至少一个内多模包覆中的内侧包覆被削锥以形成内单模包覆,使得所述第一单模芯的基础模式被绝热地转换成所述内单模包覆的基础模式,并且所述内单模包覆被转换成单模引导区。
2.如权利要求1所述的光纤耦合器,其特征在于,所述多模信号的提取高于60%。
3.如权利要求2所述的光纤耦合器,其特征在于,所述多模信号的提取高于70%。
4.如权利要求1所述的光纤耦合器,其特征在于,所述集光率比高于1.5。
5.如权利要求4所述的光纤耦合器,其特征在于,所述集光率比高于2。
6.如权利要求5所述的光纤耦合器,其特征在于,所述集光率比高于10。
7.如权利要求1所述的光纤耦合器,其特征在于,所述串扰部分沿其长度的仅一部分彼此光学耦合。
8.如权利要求7所述的光纤耦合器,其特征在于,所述第一串扰部分具有第一下游部分、第一恒定直径部分和第一上游部分;所述第二串扰部分具有第二下游部分、第二恒定直径部分和第二上游部分;并且其中所述耦合区域将所述第一下游部分或所述第一上游部分和所述第一串扰部分的所述第一恒定直径部分的特定区段光接合于所述第二上游部分或所述第二下游部分和所述第二串扰部分中的相应部分中的相应一个。
9.如权利要求1所述的光纤耦合器,其特征在于,所述第一光纤的所述至少一个内多模包覆的第一数值孔径不同于所述第二光纤的第二数值孔径。
10.如权利要求1所述的光纤耦合器,其特征在于,所述第一光纤的所述第一串扰部分的至少一部分在耦合至所述第二光纤之前被预先削锥。
11.如权利要求1所述的光纤耦合器,其特征在于,在耦合至所述第二光纤之前至少沿所述第一串扰部分移除所述第一外包覆。
12.如权利要求1所述的光纤耦合器,其特征在于,所述第二光纤是多模光纤、单模光纤、双包层光纤、多包层光纤、和无芯光纤之一。
13.如权利要求1所述的光纤耦合器在光相干断层成像系统和多模态检测系统之一中的使用。
14.如前述权利要求中的任一项所述的光纤耦合器,其特征在于,所述集光率比大于1且所述第一光纤的所述至少一个内多模包覆中的所述多模信号被传送至所述第二光纤。
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