[发明专利]双端口静态随机存取存储器(SRAM)有效
| 申请号： | 201480008974.2 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104995686B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | P·科拉尔;G·H·潘迪亚;U·巴塔查里亚;Z·郭 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施例中，一种用于存储数据的存储器单元电路，包括一对交叉耦合的反相器，所述一对交叉耦合的反相器用于存储所述存储器单元电路的状态。存取器件提供对所述一对交叉耦合的反相器的访问。所述存储器单元电路还包括一组电不活跃的p型金属氧化物半导体(PMOS)器件，所述一组电不活跃的p型金属氧化物半导体(PMOS)器件耦合到所述一对交叉耦合的反相器。所述一组电不活跃的PMOS器件与所述一对交叉耦合的反相器的一部分(例如，PMOS器件)组合实现用于所述存储器单元电路的连续p型扩散层。 | ||
| 搜索关键词： | 端口 静态 随机存取存储器 sram | ||
【主权项】：
1.一种用于存储数据的存储器单元电路，包括：一对交叉耦合的反相器，所述一对交叉耦合的反相器用于存储所述存储器单元电路的状态；多个存取器件，所述多个存取器件耦合到所述一对交叉耦合的反相器，所述多个存取器件用以提供对所述一对交叉耦合的反相器的访问；以及一组电不活跃的p型金属氧化物半导体(PMOS)器件，所述一组电不活跃的p型金属氧化物半导体(PMOS)器件耦合到所述一对交叉耦合的反相器，所述一组电不活跃的PMOS器件与所述一对交叉耦合的反相器的一部分组合，以实现用于所述存储器单元电路的连续p型扩散层，其中，第一电不活跃的PMOS器件的栅极耦合到第二电不活跃的PMOS器件的栅极。
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