[发明专利]发光器件和用于制造发光器件的方法有效
| 申请号： | 201480008311.0 | 申请日： | 2014-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN104969367B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | C.E.蒂姆梅林;M.A.维舒尤伦;T.洛佩滋;A.R.巴肯恩德 | 申请（专利权）人： | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李静岚;景军平 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及发光器件（100），其包括：衬底（102）；布置在衬底（102）上的发光二极管结构（106），二极管结构（106）包括第一半导体层（108）、有源区（110）和第二半导体层（112），其中二极管结构的光输出表面包括多个突出表面结构（104），每个突出表面结构具有峰高度、侧壁斜率（122）和相对于衬底的取向，多个突出表面结构（104）包括第一组和第二组突出表面结构，第一组和第二组突出表面结构在峰高度、侧壁斜率和相对于衬底的取向的至少一个上不同。本发明还涉及用于制造发光器件的方法，其中突出表面结构通过形成三维图案的压印光刻法和随后的蚀刻来形成。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件（100），包括：衬底（102）；布置在所述衬底上的发光二极管结构（106），所述二极管结构包括第一半导体层（108）、第二半导体层（112）和夹在所述第一半导体层和第二半导体层之间的有源区（110），所述第一半导体层和第二半导体层中的至少一个具有背离所述有源区的光输出表面；其中所述光输出表面包括多个单独的突出表面结构（104），每个突出表面结构具有峰高度、侧壁斜率和相对于所述衬底的取向，所述多个突出表面结构包括第一组和第二组突出表面结构，所述第一组和第二组突出表面结构在所述峰高度、侧壁斜率和相对于所述衬底的取向中的至少一个上不同，其中所述多个突出表面结构（104）中的相邻突出表面结构具有相对于所述衬底的不同取向，使得相邻突出表面结构的倾斜侧壁不直接地面对彼此。
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