[发明专利]Cu-Ga-In-Na靶有效
| 申请号： | 201480007071.2 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN104968828B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 克里斯汀·林克;李杰华;彼得·舒马赫;沃尔弗拉姆·克纳布;格哈德·莱希特弗雷德 | 申请（专利权）人： | 攀时奥地利公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C24/00;C22C28/00;C22C9/00;C22C1/04 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒;张杰 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种由合金构成的溅镀靶，该合金由5at％至70at％的至少一种来自(Ga，In)群组的元素及0.1at％至15at％的Na、剩余Cu及常见杂质组成，其特征在于该溅镀靶包含至少一个金属间含Na相。 | ||
| 搜索关键词： | cu ga in na | ||
【主权项】：
1.一种由合金构成的溅镀靶，所述合金由5at％至70at％的至少一种来自Ga，In群组的元素及0.1at％至15at％的Na、剩余Cu及常见杂质组成，其特征在于，所述溅镀靶包含至少一个含Na金属间相。
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