[发明专利]电阻式随机存取存储器(RERAM)与导电桥式随机存取存储器(CBRAM)交叉耦合的熔丝与读取方法及系统

摘要

通过将导电与非导电电阻式存储器单元两者布置为交叉耦合布置以促进读取数据状态，所述存储器单元在其电阻值中可具有非常小的差异且仍能正确读取。这允许所述存储器单元两者的电阻随时间变化且仍具有介于其电阻之间的足够差异来读取经编程的所需数据状态。一对ReRAM或CBRAM电阻式存储器装置经配置为一位存储器单元且被用于存储单一数据位，其中所述电阻式存储器装置中的一者处于擦除条件且所述对的另一电阻式存储器装置处于写入条件。因为在其导电状态之间存在跳变点，所以无需使用参考电压或电流来实现读取所述对电阻式存储器装置的电阻状态。

主权项

1.一种电阻式随机存取存储器，其包括经配置为存储器单元的第一电阻式存储器装置及第二电阻式存储器装置及与所述第一及第二电阻式存储器装置耦合以读取其导电状态值的交叉耦合读取电路，其中当所述第一及第二电阻式存储器装置针对不同导电状态值经编程时存储一位值,其中第一及第二晶体管的源极与所述第一及第二电阻式存储器装置中的相应一者耦合，其中所述源极通过连接的第一及第二电阻式存储器装置而简并且其中第一及第二寄生电容器耦合于所述第一及第二晶体管的漏极与参考电势之间；且二极管连接晶体管，其耦合到所述第一及第二晶体管且经调适以汲入参考电流；其中所述电阻式随机存取存储器经配置以预充电所述第一及第二寄生电容器且通过所述第一及第二晶体管循序地放电所述第一及第二寄生电容器，其中由于不同的导电状态，所述电容器以不同坡度放电，所述坡度由所述交叉耦合读取电路检测。