[发明专利]磁隧道结传感器及使用方法有效
| 申请号： | 201480003874.0 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104919612B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 塞巴斯蒂安·J·奥斯特菲尔德;王善祥 | 申请（专利权）人： | 马格雷股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开提供磁传感器，所述磁传感器包括：磁隧道结(MTJ)磁阻元件；第一电极，其接触所述MTJ磁阻元件的表面的至少一部分并且延伸超出所述MTJ磁阻元件的所述表面的边缘；以及第二电极，其接触所述MTJ磁阻元件的相对表面的至少一部分并且延伸超出所述MTJ磁阻元件的所述相对表面的边缘，其中所述第一电极和第二电极的所述延伸部分的相向表面是不重叠的。本公开还提供使用本发明磁传感器的装置、系统和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 传感器 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，其包括：两个或更多个磁隧道结(MTJ)磁阻元件，其中，所述磁传感器中包括的所有MTJ磁阻元件均彼此串联电连接；第一电极，其接触第一MTJ磁阻元件的表面的至少一部分并且延伸超出所述第一MTJ磁阻元件的所述表面的边缘；以及第二电极，其包括第一端和第二端，所述第一端接触所述第一MTJ磁阻元件的相对表面的至少一部分，所述第二端延伸超出所述第一MTJ磁阻元件的所述相对表面的边缘并且接触第二MTJ磁阻元件的表面的至少一部分；以及被结合到所述磁传感器的表面的分析物‑特异性探针，其中：所述第一电极和第二电极的相向表面仅在所述第一电极接触所述第一MTJ磁阻元件的所述表面和所述第二电极接触所述第一MTJ磁阻元件的所述相对表面处重叠，所述第一MTJ磁阻元件包括第一自由层，所述第二MTJ磁阻元件包括第二自由层，并且所述第一MTJ磁阻元件和所述第二MTJ磁阻元件包括公共的反铁磁层以及在所述反铁磁层与所述第一自由层及所述第二自由层之间的公共绝缘层，并且所述磁传感器配置为检测样品中的磁性标记的分析物，其中，所述第一电极仅接触所述第一MTJ磁阻元件的所述表面的一部分，和/或所述第二电极接触所述第一MTJ磁阻元件的所述相对表面的一部分或接触所述第二MTJ磁阻元件的所述表面的一部分。
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