[实用新型]一种高亮度锥形半导体激光器有效
| 申请号： | 201420855365.8 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN204290036U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 范国滨;李弋;杜维川;李艾;李奇峰;高松信;武德勇 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/065 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 卿诚;吴彦峰 |
| 地址： | 621000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种高亮度锥形半导体激光器的技术方案，该方案包括有基底、脊形主震荡区、侧向周期波导限制结构、锥形增益放大区、前腔面和后腔面；前腔面设置在基底的一侧面；后腔面设置在前腔面对侧的基底侧面上；脊形主震荡区设置在靠近后腔面的基底中部；锥形增益放大区设置在靠近前腔面的基底上；锥形增益放大区与脊形主震荡区接连；脊形主震荡区两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构。该方案采用脊形主震荡区两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构，能够有效抑制高阶模，使脊形主震荡区在较大的脊条宽度和刻蚀深度下仍然保持基模输出，实现锥形半导体激光器的高亮度激光输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 锥形 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种高亮度锥形半导体激光器，其特征是：包括有量子阱外延片基底、脊形主震荡区、侧向周期波导限制结构、锥形增益放大区、前腔面和后腔面；所述前腔面设置在基底的一侧面；所述后腔面设置在前腔面对侧的基底侧面上；所述脊形主震荡区设置在靠近后腔面的基底中部；所述锥形增益放大区设置在靠近前腔面的基底上；所述锥形增益放大区与脊形主震荡区接连；所述脊形主震荡区两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构。
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