[实用新型]一种具有慢启动功能的漏极调制电路

摘要

本实用新型涉及一种具有慢启动功能的漏极调制电路，包括晶体管、P沟道MOS管、分压电阻和N沟道场效应管自偏置慢启动功能电路，该技术利用了N沟道场效应管沟道阻抗随栅源的压差减小而逐渐增大的原理，实现对电容缓慢充电，当充电电压达到设置的门限时，再由分时调制电路进行补充充电。

主权项

一种具有慢启动功能的漏极调制电路，包括晶体管、P沟道MOS管、分压电阻；其特征在于：还包括N沟道场效应管自偏置慢启动功能电路；所述的N沟道场效应管自偏置慢启动功能电路包括N沟道MOS管和四个分压电阻以及多个二极管，第一分压电阻R4连接N沟道MOS管的漏极和栅极，第二分压电阻R5和多个二极管串联后位于N沟道MOS管的栅极和源极之间，第三分压电阻R6、第四分压电阻R7位于N沟道MOS管的的源极和地之间，所述的N沟道MOS管的漏极与P沟道MOS管的源极相连接，N沟道MOS管的源极与P沟道MOS管的漏极相连接。