[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201420816355.3 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN204289465U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 杨彦涛;陈文伟;李云飞;陶玉美;王伟 | 申请（专利权）人： | 成都士兰半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 610404 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体器件，在具有特定掺杂类型的半导体衬底上形成沟槽后，采用与半导体衬底的掺杂类型相反的乳胶掺杂源进行涂布、烘烤以及扩散工艺，所述乳胶掺杂源填满所述沟槽并覆盖修复氧化层表面，同时在所述沟槽周围的半导体衬底中形成与所述半导体衬底的掺杂类型相反的掺杂区，无需采用工艺复杂、技术难度较大的常规外延掺杂工艺，使沟槽内部填充没有缺陷，降低了对沟槽刻蚀工艺的要求，保证器件的高压性能和可靠性要求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：具有特定掺杂类型的半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的沟槽；通过涂布工艺形成于所述沟槽中的乳胶掺杂源；以及通过对所述沟槽中的乳胶掺杂源进行烘烤和扩散进而形成于所述沟槽周围的半导体衬底的掺杂区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都士兰半导体制造有限公司，未经成都士兰半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420816355.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池用封装胶膜和太阳能电池
- 下一篇：一种高分辨像素排布方式
- 同类专利
- 专利分类
