[实用新型]CIGS薄膜电池有效
申请号: | 201420814184.0 | 申请日: | 2014-12-20 |
公开(公告)号: | CN204614795U | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 张明宇;安娜 | 申请(专利权)人: | 云南能投能源产业发展研究院 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/055;H01L31/0216 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650000 云南省*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本实用新型涉及电力生产领域,尤其涉及一种CIGS薄膜电池,基底,通过溅射法沉积钼在所述基底上的背接触件,通过共蒸镀法沉积在所述背接触件上的P型CIGS层,淀积在所述P型CIGS层上的N型CIGS层和通过电子束蒸镀法沉积氟化镁在所述N型CIGS层上的反射防止膜。本实用新型通过将P型CIGS层耦合到N型CIGS层,形成具有单一连接点的光吸收层,无需设置具有硫化镉的缓冲层,提高了太阳能电池性能,避免了有毒物质对薄膜及环境的污染。 | ||
搜索关键词: | cigs 薄膜 电池 | ||
【主权项】:
一种CIGS薄膜电池,其特征在于,包括:基底,通过溅射法沉积钼在所述基底上的背接触件,通过共蒸镀法沉积在所述背接触件上的P型CIGS层,淀积在所述P型CIGS层上的N型CIGS层和通过电子束蒸镀法沉积氟化镁在所述N型CIGS层上的反射防止膜;所述背接触件与所述基底连接,所述P型CIGS层与所述背接触件连接,所述N型CIGS层与所述P型CIGS层连接,所述反射防止膜与所述N型CIGS层连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的