[实用新型]一种用于栅极接地NMOS结构ESD保护器件有效
| 申请号： | 201420806194.X | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN204271087U | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 刘志伟;盛洪宁 | 申请（专利权）人： | 杭州捷茂微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L27/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310007 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于栅极接地NMOS结构ESD保护器件，其包括P型衬底，P型衬底设有P阱，所述P阱内注有第一P+区、第一N+区、第二N+区、第二P+区、第三N+区、第四N+区、第三P+区；第一N+区与第二N+区之间的P阱上方有第一栅氧化层，第一栅氧化层上方有第一多晶硅；第三N+区与第四N+区的P阱上方有第二栅氧化层，第二栅氧化层上方有第二多晶硅；P阱区内还设有N型浅阱，所述N型浅阱为两个或四个；P型衬底上还覆盖有若干氧化隔离层。本结构在普通多指栅极接地NMOS的基础上多了数个N型浅阱区，可以降低栅极接地NMOS的开启电压，提高栅极接地NMOS的二次击穿电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 栅极 接地 nmos 结构 esd 保护 器件 | ||
【主权项】：
一种用于栅极接地NMOS结构ESD保护器件，其特征在于：包括P型衬底(111)，P型衬底(111)内设有P阱(110)，所述P阱(110)内注有第一P+区(101)、第一N+区(102)、第二N+区(103)、第二P+区(104)、第三N+区(105)、第四N+区(106)、第三P+区(107)；第一N+区(102)与第二N+区(103)之间的P阱(110)上方有第一栅氧化层，第一栅氧化层上方有第一多晶硅；第三N+区(105)与第四N+区(106)的P阱(110)上方有第二栅氧化层，第二栅氧化层上方有第二多晶硅；P阱区(110)内还设有N型浅阱，所述N型浅阱为两个或四个；P型衬底(111)上还覆盖有若干氧化隔离层；所述第一P+区(101)、第一N+区(102)与第一多晶硅共同引出一电极作为器件的阴极端口；所述第二多晶硅、第四N+区(106)与第三P+区(107)共同引出一电极也作为器件的阴极端口；第三P+区(104)上也引出一电极也作为器件的阴极端口，上述三个阴极端口连接在一起，所有阴极端口都与地相接；第二N+区(103)和第三N+区(105)共同引出一电极作为器件的阳极端口。
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