[实用新型]一种具有高阶补偿的基准电压源有效
申请号: | 201420719374.4 | 申请日: | 2014-11-27 |
公开(公告)号: | CN204347681U | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 林美玉;王晓飞 | 申请(专利权)人: | 广州市力驰微电子科技有限公司 |
主分类号: | G05F3/28 | 分类号: | G05F3/28 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 510663 广东省广州市萝岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种具有高阶补偿的基准电压源,包括8个P型MOS管、3个NPN型三极管、8个电阻、1个电容、1个运算放大器、1个电流漏,本实用新型时通过两组差分对分别对基准电压的高温、低温部分进行补偿从而得到一个低温度系数的基准电压,结构简单,由于可实现基准电压的低温度系数,故有效提高了基准电压源的精度,能够应用于高精度的ADC,高性能LDO线性稳压器,高性能开关电源,以及高精度温度传感器等芯片中,使得芯片成本大大降低。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 补偿 基准 电压 | ||
【主权项】:
一种具有高阶补偿的基准电压源,包括8个P型MOS管、3个NPN型三极管、8个电阻、1个电容、1个运算放大器、1个电流漏,其特征在于,其电路连接方式为:第零P型MOS管MP0的漏极、第零P型MOS管MP0的栅极、电流漏I的输入端、第一P型MOS管MP1的栅极与第二P型MOS管MP2的栅极连接;第一P型MOS管MP1的漏极、第三P型MOS管MP3的源极与第四P型MOS管MP4的源极连接;第二P型MOS管MP2的漏极、第五P型MOS管MP5的源极与第六P型MOS管MP6的源极连接;第三P型MOS管MP3的漏极、第五P型MOS管MP5的漏极与电阻R2的一端、电阻R8的一端连接;第四P型MOS管MP4的栅极、第五P型MOS管MP5的栅极、第一NPN型三极管Q1的发射极与电阻R2的另一端、电阻R1的一端连接;固定电压输入端口Va与第三P型MOS管MP3的栅极连接;固定电压输入端口Vb与第六P型MOS管MP6的栅极连接;第七P型MOS管MP7的漏极与电R5的一端连接;第七P型MOS管MP7的栅极与运算放大器的输出端连接;第三NPN型三极管Q3的发射极与电阻R3的一端、电阻R4的一端连接;电阻R3的另一端、第一NPN型三极管Q1的集电极与运算放大器的同向输入端连接;电阻R4的另一端、第二NPN型三极管Q2的集电极与运算放大器的反向输入端连接;第二NPN型三极管Q2的发射极与电阻R1的另一端连接;第一NPN型三极管Q1的基极、第二NPN型三极管Q2的基极与电阻R6的一端、电阻R7的一端连接;电阻R6的另一端、电阻R5的另一端,电容C1的一端与带隙基准的输出端口VREF连接;第三NPN型三极管Q3的基极与偏置电压Vb连接;第零P型MOS管MP0的源极、第一P型MOS管MP1的源极、第二P型MOS管MP2的源极、第七P型MOS管MP7的源极、第三NPN型三极管Q3的集电极与电源VDD连接;第四P型MOS管MP4的漏极、第六P型MOS管MP6的漏极、电流源I的流出端、电阻R7的另一端、电阻R8的另一端、电容C1的另一端与地GND连接。
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