[实用新型]一种基于双平面缺陷结构的小型化宽阻带低通滤波器

摘要

本实用新型涉及一种基于双平面缺陷结构的小型化宽阻带低通滤波器，该滤波器包括介质板、正面部分、反面部分、导带、接地板、输入端口和输出端口，导带横向设置在介质板的正面，导带的两端分别与输入端口和输出端口相连接，接地板设置在介质板反面；正面部分包括设置在介质板上方的第一互补型矩形开口缺陷微带结构、第二互补型矩形开口缺陷微带结构、第三互补型矩形开口缺陷微带结构和第四互补型矩形开口缺陷微带结构，每个互补型矩形开口缺陷微带结构由两个开口方向相反的内侧环型缝隙和外侧环型缝隙构成，内侧环型缝隙和外侧环型缝隙同心均由导带蚀刻形成。本实用新型减少了整个器件的面积，并通过合理地调整缺陷结构的工作频点可获得宽的阻带。

主权项

一种基于双平面缺陷结构的小型化宽阻带低通滤波器，该滤波器包括介质板（1）、正面部分（2）、反面部分（3）、导带（4）、接地板（16）、输入端口（5）和输出端口（6），所述的导带（4）横向设置在介质板（1）的正面，导带（4）的两端分别与所述的输入端口（5）和输出端口（6）相连接，所述的接地板（16）设置在介质板（1）的反面；其特征在于：所述的正面部分（2）包括设置在介质板（1）上方的第一互补型矩形开口缺陷微带结构（7）、第二互补型矩形开口缺陷微带结构（8）、第三互补型矩形开口缺陷微带结构（9）和第四互补型矩形开口缺陷微带结构（10），四个互补型矩形开口缺陷微带结构在导带（4）的横向上依次设置，每个互补型矩形开口缺陷微带结构由两个开口方向相反的内侧环型缝隙（22）和外侧环型缝隙（21）构成，内侧环型缝隙（22）和外侧环型缝隙（21）同心均由导带（4）蚀刻形成；所述的反面部分（3）包括第一四U型缺陷地结构（11）、第二四U型缺陷地结构（12）、第三四U型缺陷地结构（13）和第四四U型缺陷地结构（14），四个四U型缺陷地结构在接地板（16）横向上依次设置，每个四U型缺陷地结构由四个U型缝隙（15）嵌合在一起构成，四个U型缝隙（15）均由接地板（16）蚀刻形成，四个U型缝隙（15）的终端对齐。