[实用新型]一种总线逻辑电平双向转换电路有效
申请号: | 201420574927.1 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN204119204U | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | 丁文军 | 申请(专利权)人: | 杭州天目电力科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
代理公司: | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人: | 王从友 |
地址: | 311300 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型属于电子技术领域,尤其涉及一种总线逻辑电平双向转换电路。一种总线逻辑电平双向转换电路,该转换电路包括第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、第一总线、第二总线、第一电阻和第二电阻,第一N沟道MOS管的源极接第一总线,第一N沟道MOS管的栅极接第一总线的第一电源,第一N沟道MOS管的漏极接第二总线,并通过第一电阻接第二总线的第二电源;第二N沟道MOS管的源极接第二总线,第二N沟道MOS管的栅极接第二总线的第二电源,第二N沟道MOS管的漏极接第一总线并通过第二电阻接第一总线的第一电源,第二N沟道MOS管的漏极和第一N沟道MOS管的源极连接。本实用新型的电路成本低、结构简单,可以双向转换的逻辑电平转换电路。 | ||
搜索关键词: | 一种 总线 逻辑 电平 双向 转换 电路 | ||
【主权项】:
一种总线逻辑电平双向转换电路,其特征在于:该转换电路包括第一N沟道MOS管(Q1)、第二N沟道MOS管(Q2)、第一总线(S1)、第二总线(S2)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2),所述的第一N沟道MOS管(Q1)的源极接第一总线(S1),所述的第一N沟道MOS管(Q1)的栅极接第一总线(S1)的第一电源(VL),所述的第一N沟道MOS管(Q1)的漏极接第二总线(S2),并通过所述的第一电阻(R1)接第二总线(S2)的第二电源(VH);所述的第二N沟道MOS管(Q2)的源极接第二总线(S2),第二N沟道MOS管(Q2)的栅极接第二总线(S2)的第二电源(VH),第二N沟道MOS管(Q2)的漏极接第一总线(S1)并通过所述的第二电阻(R2)接第一总线(S1)的第一电源(VL),第二N沟道MOS管(Q2)的漏极和第一N沟道MOS管(Q1)的源极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州天目电力科技有限公司,未经杭州天目电力科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420574927.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。