[实用新型]一种总线逻辑电平双向转换电路有效

专利信息
申请号: 201420574927.1 申请日: 2014-09-30
公开(公告)号: CN204119204U 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: 丁文军 申请(专利权)人: 杭州天目电力科技有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175
代理公司: 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 代理人: 王从友
地址: 311300 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型属于电子技术领域,尤其涉及一种总线逻辑电平双向转换电路。一种总线逻辑电平双向转换电路,该转换电路包括第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、第一总线、第二总线、第一电阻和第二电阻,第一N沟道MOS管的源极接第一总线,第一N沟道MOS管的栅极接第一总线的第一电源,第一N沟道MOS管的漏极接第二总线,并通过第一电阻接第二总线的第二电源;第二N沟道MOS管的源极接第二总线,第二N沟道MOS管的栅极接第二总线的第二电源,第二N沟道MOS管的漏极接第一总线并通过第二电阻接第一总线的第一电源,第二N沟道MOS管的漏极和第一N沟道MOS管的源极连接。本实用新型的电路成本低、结构简单,可以双向转换的逻辑电平转换电路。
搜索关键词: 一种 总线 逻辑 电平 双向 转换 电路
【主权项】:
一种总线逻辑电平双向转换电路,其特征在于:该转换电路包括第一N沟道MOS管(Q1)、第二N沟道MOS管(Q2)、第一总线(S1)、第二总线(S2)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2),所述的第一N沟道MOS管(Q1)的源极接第一总线(S1),所述的第一N沟道MOS管(Q1)的栅极接第一总线(S1)的第一电源(VL),所述的第一N沟道MOS管(Q1)的漏极接第二总线(S2),并通过所述的第一电阻(R1)接第二总线(S2)的第二电源(VH);所述的第二N沟道MOS管(Q2)的源极接第二总线(S2),第二N沟道MOS管(Q2)的栅极接第二总线(S2)的第二电源(VH),第二N沟道MOS管(Q2)的漏极接第一总线(S1)并通过所述的第二电阻(R2)接第一总线(S1)的第一电源(VL),第二N沟道MOS管(Q2)的漏极和第一N沟道MOS管(Q1)的源极连接。
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