[实用新型]一种总线逻辑电平双向转换电路

说明书

技术领域

本实用新型属于电子技术领域，尤其涉及一种总线逻辑电平双向转换电路。

背景技术

在电子产品设计，常常会遇到不同逻辑电平器件的混用，比如1.8V、3.3V、5V。由于接口逻辑电平不同，直接接口容易损坏器件，必须要进行电平转换。目前常用的转换方法：1：采用集成电路如74LVC4245之类，缺点是成本较高且无法实现双向转换；2：电阻限流+二极管钳位，缺点是低电平的容差较小，容易受干扰。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种总线逻辑电平双向转换电路,且本实用新型的电路成本低、结构简单，可以双向转换的逻辑电平转换电路。

为实现上述的目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种总线逻辑电平双向转换电路,其特征在于：该转换电路包括第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、第一总线、第二总线、第一电阻和第二电阻，所述的第一N沟道MOS管的源极接第一总线，所述的第一N沟道MOS管的栅极接第一总线的第一电源，所述的第一N沟道MOS管的漏极接第二总线，并通过所述的第一电阻接第二总线的第二电源；所述的第二N沟道MOS管的源极接第二总线，第二N沟道MOS管的栅极接第二总线的第二电源，第二N沟道MOS管的漏极接第一总线并通过所述的第二电阻接第一总线的第一电源，第二N沟道MOS管的漏极和第一N沟道MOS管的源极连接。

本实用新型的电路成本低、结构简单，可以双向转换的逻辑电平转换电路。

附图说明

图1为本实用新型电路结构图。

具体实施方案

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做一个详细的说明。

如图1所示的一种总线逻辑电平双向转换电路,其特征在于：该转换电路包括第一N沟道MOS管Q1、第二N沟道MOS管Q2、第一总线S1、第二总线S2、第一电阻R1和第二电阻R2，所述的第一N沟道MOS管Q1的源极接第一总线S1，所述的第一N沟道MOS管Q1的栅极接第一总线S1的第一电源VL，所述的第一N沟道MOS管Q1的漏极接第二总线S2，并通过所述的第一电阻R1接第二总线S2的第二电源VH；所述的第二N沟道MOS管Q2的源极接第二总线S2，第二N沟道MOS管Q2的栅极接第二总线S2的第二电源VH，第二N沟道MOS管Q2的漏极接第一总线S1并通过所述的第二电阻R2接第一总线S1的第一电源VL，第二N沟道MOS管Q2的漏极和第一N沟道MOS管Q1的源极连接。

该电路有三种状态：

1、当第一总线S1、第二总线S2信号是高电平时，第一N沟道MOS管Q1的栅极、源极电压相同，第一N沟道MOS管Q1截止；第二N沟道MOS管Q2的栅极、源极电压相同，第二N沟道MOS管Q2截止，此时第一总线S1被第二电阻R2上拉到第一电源VL,第一总线S1被第一电阻R1上拉到第二电源VH。

2、当第一总线S1为低电平时，第一N沟道MOS管Q1的源极也为低电平，而栅极接第一电源VL。 VGS上升高于阀值, 第一N沟道MOS管Q1导通，第二总线S2被拉低到低电平。

3、当第二总线S2为低电平时，第二N沟道MOS管Q2的源极也为低电平，而栅极接第二电源VH。 VGS上升高于阀值, 第二N沟道MOS管Q2导通，第一总线S1被拉低到低电平。