[实用新型]基于IGBT的水冷功率单元有效
申请号: | 201420540220.9 | 申请日: | 2014-09-19 |
公开(公告)号: | CN204145263U | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 陈琦;蒋侃;石顺风;董岩;崔杰;吕敏健 | 申请(专利权)人: | 浙江日风电气有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H05K7/20;H02M3/335 |
代理公司: | 杭州华知专利事务所 33235 | 代理人: | 宁冈 |
地址: | 311121 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提出了一种基于IGBT的水冷功率单元,包括功率单元框架,水冷散热器固定于功率单元框架内空间的上部,IGBT模块组件安设在水冷散热器的外侧,放电电阻固定于功率单元框架的右下方,热敏电阻安设在水冷散热器上,支撑电容阵列固定于功率单元框架内空间的下部,叠层母排固定于IGBT模块组件和支撑电容阵列的外侧,IGBT驱动板固定于功率单元框架的背面外侧的上部,IGBT驱动板与IGBT模块组件固定连接且电连接,IGBT驱动板、IGBT模块组件、支撑电容阵列、放电电阻和热敏电阻通过叠层母排连成电路回路。本实用新型功率等级高,功率密度高,结构简单紧凑,安装拆卸方便,成本低,提高流水线生产效率。 | ||
搜索关键词: | 基于 igbt 水冷 功率 单元 | ||
【主权项】:
一种基于IGBT的水冷功率单元,其特征在于:包括功率单元框架和安装于功率单元框架内的IGBT模块组件、水冷散热器、支撑电容阵列、放电电阻、热敏电阻、叠层母排和IGBT驱动板,所述的功率单元框架为上端开口的长方体,所述的水冷散热器固定于功率单元框架内空间的上部,所述的IGBT模块组件安设在水冷散热器的外侧,所述的放电电阻固定于功率单元框架的右下方,所述的热敏电阻安设在水冷散热器上,所述的支撑电容阵列固定于功率单元框架内空间的下部,所述的叠层母排固定于IGBT模块组件和支撑电容阵列的外侧,所述的IGBT驱动板固定于功率单元框架的背面外侧的上部,IGBT驱动板与IGBT模块组件固定连接且电连接,IGBT驱动板、IGBT模块组件、支撑电容阵列、放电电阻和热敏电阻通过叠层母排连成电路回路。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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