[实用新型]低温漂低功耗32.768KHz晶体振荡器

摘要

本实用新型公开了低温漂低功耗32.768KHz晶体振荡器，包括石英晶体、放大电路、反馈电阻、整形电路及负载电容C1、C2；其特征在于：所述的放大电路中的基准产生电路，由PMOS晶体管MP11、MP12和NMOS晶体管MN11、MN12及电阻串R11，构成β倍增基准电路，工作在亚阈值区域的场效应晶体管减小导通电流，使电阻串R11输出20nA电流，实现低功耗；电阻串R11由正、负温度系数的电阻串联组成，实现低温漂。该振荡器，能够通过正负温度系数抵消实现低温漂功能，通过工作在亚阈值区域的场效应晶体管减小导通电流，使基准电流达到20nA，实现整个电路的低功耗。而且结构简单、成本低廉、应用广泛。

主权项

低温漂低功耗32.768KHz晶体振荡器，包括石英晶体（1）、放大电路（2）、反馈电阻（3）、整形电路（4）及负载电容C1、C2，所述放大电路（2）、反馈电阻（3）及负载电容C1、C2分别与石英晶体（1）相连，形成振荡环路；所述放大电路（2）包括NMOS晶体管MN1、电流源电路（21）、基准产生电路（22）、启动电路（23）及两个保护电路（24），其特征在于：所述的电流源电路（21）与NMOS晶体管MN1的漏极相连；基准产生电路（22）通过镜像与电流源电路（21）相连；启动电路（23）与基准产生电路（22）相连，在基准产生电路（22）进入零状态时启动基准产生电路（22），基准产生电路（22）进入工作模式；两个保护电路（24）分别与NMOS晶体管MN1的栅极和漏极相连；所述的基准产生电路（22），包括PMOS晶体管MP11、MP12和NMOS晶体管MN11、MN12及电阻串R11，构成β倍增基准电路；PMOS晶体管MP11的栅极和MP12的栅极相连，构成镜像电路；MP11的漏极和栅极相连；NMOS晶体管MN11的栅极和MN12的栅极相连；MN12的漏极和栅极相连；MP11的漏极和MN11的漏极相连，MP12的漏极和MN12的漏极相连；MN11的源极和电阻串R11相连；电阻串R11由20个电阻串联，包括两种电阻类型的电阻，一种为正温度系数的电阻，一种为负温度系数的电阻，各为10个，间隔串联成串。