[实用新型]低温漂低功耗32.768KHz晶体振荡器

权利要求书

1.低温漂低功耗32.768KHz晶体振荡器，包括石英晶体（1）、放大电路（2）、反馈电阻（3）、整形电路（4）及负载电容C1、C2，所述放大电路（2）、反馈电阻（3）及负载电容C1、C2分别与石英晶体（1）相连，形成振荡环路；所述放大电路（2）包括NMOS晶体管MN1、电流源电路（21）、基准产生电路（22）、启动电路（23）及两个保护电路（24），其特征在于：所述的电流源电路（21）与NMOS晶体管MN1的漏极相连；基准产生电路（22）通过镜像与电流源电路（21）相连；启动电路（23）与基准产生电路（22）相连，在基准产生电路（22）进入零状态时启动基准产生电路（22），基准产生电路（22）进入工作模式；两个保护电路（24）分别与NMOS晶体管MN1的栅极和漏极相连；

所述的基准产生电路（22），包括PMOS晶体管MP11、MP12和NMOS晶体管MN11、MN12及电阻串R11，构成β倍增基准电路；PMOS晶体管MP11的栅极和MP12的栅极相连，构成镜像电路；MP11的漏极和栅极相连；NMOS晶体管MN11的栅极和MN12的栅极相连；MN12的漏极和栅极相连；MP11的漏极和MN11的漏极相连，MP12的漏极和MN12的漏极相连；MN11的源极和电阻串R11相连；电阻串R11由20个电阻串联，包括两种电阻类型的电阻，一种为正温度系数的电阻，一种为负温度系数的电阻，各为10个，间隔串联成串。

2.根据权利要求1所述的低温漂低功耗32.768KHz晶体振荡器，      其特征在于：所述的基准产生电路（22）产生的基准电流IR11为20nA；所述PMOS晶体管MP11、MP12和NMOS晶体管MN11、MN12工作在亚阈值区域。

3.根据权利要求1所述的低温漂低功耗32.768KHz晶体振荡器，      其特征在于：所述的启动电路（23），包括PMOS晶体管MP13、MP14、MP15、MP16和NMOS晶体管MN13，MP13、MP14、MP15的栅极相连后与基准产生电路22中的MP11的栅极与漏极连接；MP13的漏极与MP14的源极相连；MP14的漏极与MP15的源极相连；MP15的漏极与MN13的栅极和MP16的栅极相连；MN13的漏极和源极相连后与地连接；MN13的栅极和MP16的栅极相连；MP16的漏极同时和基准产生电路（22）中的MN12的栅极和漏极、MN11的栅极以及MP12的漏极相连。