[实用新型]一种测试光罩有效
| 申请号： | 201420443996.9 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN203982075U | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 凌文君;王勤勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种测试光罩，用于测试光罩缺陷扫描机的Cr残留缺陷捕捉能力，所述测试光罩包括相移材料图形区域，所述测试光罩中形成有至少一种类型的Cr残留缺陷，每一种类型的Cr残留缺陷至少具有一种尺寸规格；所述Cr残留缺陷形成于所述相移材料图形区域。采用所述测试光罩，可以测试光罩缺陷扫描机的Cr残留缺陷捕捉能力，若测得光罩缺陷扫描机能够捕捉到所有会影响最终成像效果的Cr残留缺陷，就可以省略相移光罩的STARLight检测步骤，在DD/DB检测图形缺陷的同时检测相移光罩的Cr残留缺陷，从而节省光罩生产时间的5~10%，大幅提高相移光罩产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 | ||
【主权项】：
一种测试光罩，用于测试光罩缺陷扫描机的Cr残留缺陷捕捉能力，所述测试光罩包括相移材料图形区域，其特征在于：所述测试光罩中形成有至少一种类型的Cr残留缺陷，每一种类型的Cr残留缺陷至少具有一种尺寸规格；所述Cr残留缺陷形成于所述相移材料图形区域。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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