[实用新型]一种测试光罩有效
| 申请号： | 201420443996.9 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN203982075U | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 凌文君;王勤勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测试 | ||
1.一种测试光罩，用于测试光罩缺陷扫描机的Cr残留缺陷捕捉能力，所述测试光罩包括相移材料图形区域，其特征在于：所述测试光罩中形成有至少一种类型的Cr残留缺陷，每一种类型的Cr残留缺陷至少具有一种尺寸规格；所述Cr残留缺陷形成于所述相移材料图形区域。
2.根据权利要求1所述的测试光罩，其特征在于：所述测试光罩中形成的Cr残留缺陷有2～10种类型。
3.根据权利要求1所述的测试光罩，其特征在于：所述Cr残留缺陷的类型包括线上Cr残留缺陷、线交叉处Cr残留缺陷、线钝角拐角处Cr残留缺陷或线直角拐角处Cr残留缺陷。
4.根据权利要求1所述的测试光罩，其特征在于：每一种类型的Cr残留缺陷具有5～25种尺寸规格。
5.根据权利要求1所述的测试光罩，其特征在于：所述Cr残留缺陷的尺寸规格范围是50～500nm。
6.根据权利要求1所述的测试光罩，其特征在于：各类型及各尺寸规格的Cr残留缺陷在所述测试光罩上随机排列。
7.根据权利要求1所述的测试光罩，其特征在于：同一种类型的Cr残留缺陷排列成一行或一列。
8.根据权利要求1所述的测试光罩，其特征在于：对于同一种类型的Cr残留缺陷，每一种尺寸规格的Cr残留缺陷数量为一个。
9.根据权利要求1所述的测试光罩，其特征在于：所述相移材料图形区域的材料为硅化钼或氮氧化硅钼。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
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