[实用新型]一种肖特基二极管有效
| 申请号： | 201420399618.5 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN204102910U | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 姚金才;陈宇;朱超群 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 为克服现有技术中的肖特基二极管导通电阻高、导通电压高的问题，本实用新型提供一种肖特基二极管，包括衬底；衬底下表面覆盖有阴极；衬底上表面依次层叠有缓冲层、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层和阳极；阳极包括第一阳极电极和第二阳极电极；第一阳极电极位于第二氮化物半导体层上表面；第二阳极电极位于第一阳极电极上表面并同时延伸至第二氮化物半导体层上表面；第二阳极电极与第二氮化物半导体层形成的肖特基势垒高于第一阳极电极与第二氮化物半导体层形成的肖特基势垒；还包括从衬底沿缓冲层和第一氮化物半导体层侧面延伸至第二氮化物半导体层侧面的欧姆接触层。本实用新型提供的肖特基二极管导通电阻低、导通电压低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，其特征在于，包括衬底(1)；所述衬底(1)下表面覆盖有阴极(8)；所述衬底(1)上表面从下向上依次层叠有缓冲层(2)、第一氮化物半导体层(31)、第二氮化物半导体层(32)和阳极；所述第一氮化物半导体层(31)、第二氮化物半导体层(32)之间形成异质结(4)；所述阳极包括第一阳极电极(61)和第二阳极电极(62)；所述第一阳极电极(61)位于第二氮化物半导体层(32)上表面，并与所述第二氮化物半导体层(32)肖特基接触；所述第二阳极电极(62)位于第一阳极电极(61)上表面并同时延伸至所述第二氮化物半导体层(32)上表面；所述第二阳极电极(62)与所述第二氮化物半导体层(32)肖特基接触，并且所述第二阳极电极(62)与第二氮化物半导体层(32)形成的肖特基势垒高于所述第一阳极电极(61)与第二氮化物半导体层(32)形成的肖特基势垒；所述肖特基二极管还包括从衬底(1)沿缓冲层(2)和第一氮化物半导体层(31)侧面延伸至第二氮化物半导体层(32)侧面的欧姆接触层(7)；所述欧姆接触层(7)同时与所述第一氮化物半导体层(31)、第二氮化物半导体层(32)和衬底(1)欧姆接触。
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