[实用新型]有源滤波器低开关损耗电路结构

摘要

本实用新型涉及一种有源滤波器低开关损耗电路结构。本实用新型有源滤波器低开关损耗电路结构包括IGBT三相逆变桥、MOSFET三相逆变桥和电容，其结构要点IGBT三相逆变桥包括第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT、第四IGBT、第五IGBT、第六IGBT，MOSFET三相逆变桥包括第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第四MOSFET、第五MOSFET、第六MOSFET。

主权项

有源滤波器低开关损耗电路结构，包括IGBT三相逆变桥、MOSFET三相逆变桥和电容，其特征在于IGBT三相逆变桥包括第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT、第四IGBT、第五IGBT、第六IGBT，MOSFET三相逆变桥包括第一MOSFET、第二MOSFET、第三 MOSFET、第四MOSFET、第五MOSFET、第六MOSFET，其结构要点第一IGBT集电极、第二IGBT集电极、第三IGBT集电极、第一MOSFET漏极、第二MOSFET漏极、第三 MOSFET漏极、电容一端相连，第四IGBT发射极、第五IGBT发射极、第六IGBT发射极、第四MOSFET源极、第五MOSFET源极、第六MOSFET源极、电容另一端相连；第一IGBT发射极、第四IGBT集电极、第一电感一端相连，第二IGBT发射极、第五IGBT集电极、第二电感一端相连，第三IGBT发射极、第六IGBT集电极、第三电感一端相连，第一电感另一端与交流电压源Usa一端相连，第二电感另一端与交流电压源Usb一端相连，第三电感另一端与交流电压源Usc一端相连，电压源Usa另一端、电压源Usb另一端、电压源Usc另一端相连接地；所述第一MOSFET源极、第四MOSFET漏极、第四电感一端相连，第二MOSFET源极、第五MOSFET漏极、第五电感一端相连，第三MOSFET源极、第六MOSFET漏极、第六电感一端相连，第四电感另一端与A相谐波源相连，第五电感另一端与B相谐波源相连，第六电感另一端与C相谐波源相连。