[实用新型]一种超宽带矢量调制芯片有效

专利信息
申请号: 201420355241.3 申请日: 2014-06-30
公开(公告)号: CN203951449U 公开(公告)日: 2014-11-19
发明(设计)人: 陈阳;童伟;胡柳林;吕继平;康婕;文剑澜;欧阳耀果;滑育楠;杨洲 申请(专利权)人: 成都嘉纳海威科技有限责任公司
主分类号: H03H7/21 分类号: H03H7/21
代理公司: 代理人:
地址: 610000 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型提供一种超宽带矢量调制芯片,包括功分器、合成器,及两个衰减器,功分器输入端为该超宽带矢量调制芯片输入端,合成器输出端为该超宽带矢量调制芯片输出端,功分器输出端与两个衰减器输入端相连接,两个衰减器输出端与合成器输入端相连接;功分器该采用威尔金森结构,该合成器采用兰格桥结构;衰减器包括衰减器兰格桥和赝高电子迁移率晶体管,该衰减器兰格桥和赝高电子迁移率晶体管之间设置有衰减器电阻。该超宽带矢量调制芯片工作频率覆盖十四吉赫至二十四吉赫,很大程度上拓宽了其使用带宽。
搜索关键词: 一种 宽带 矢量 调制 芯片
【主权项】:
一种超宽带矢量调制芯片,其特征在于:包括功分器(1)、合成器(3)及两个衰减器(2),所述功分器(1)输入端为超宽带矢量调制芯片输入端,合成器(3)输出端为所述超宽带矢量调制芯片输出端,功分器(1)输出端与两个所述衰减器(2)输入端相连接,两个衰减器(2)输出端与合成器(3)输入端相连接;所述功分器(1)采用威尔金森结构,所述合成器(3)采用兰格桥结构;所述衰减器(2)包括衰减器兰格桥(6)和赝高电子迁移率晶体管(4),所述衰减器兰格桥(6)和赝高电子迁移率晶体管(4)之间设置有衰减器电阻(5)。
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