[实用新型]N型晶体硅双面电池有效
| 申请号： | 201420253264.3 | 申请日： | 2014-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN203839387U | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 高艳涛;张斌;邢国强 | 申请（专利权）人： | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0328;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 刘燕娇 |
| 地址： | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了N型晶体硅双面电池，属于太阳能电池技术领域，包括N型硅衬底、硼掺杂层、电池的正极、氧化铝钝化层、氮化硅减反射层、离子注入磷掺杂层、氮化硅钝化及减反射层、电池的负极，在N型硅衬底的上下表面分别设置了电池的正极和电池的负极，在电池的正极的下方设置硼掺杂层；在N型硅衬底的上表面设有氧化铝钝化层，在氧化铝钝化层的表面设有第一氮化硅减反射层；在N型硅衬底的下表面设有离子注入磷掺杂层，在离子注入磷掺杂层的表面设有第二氮化硅减反射层。本实用新型的N型晶体硅双面电池，使得电池稳定性能提高，降低了对短波的吸收，提高了蓝光响应，提高电池的短路电流密度，电池效率得到提升，具有很好的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 双面 电池 | ||
【主权项】：
N型晶体硅双面电池，其特征在于：包括N型硅衬底（1）、硼掺杂层（2）、电池的正极（3）、氧化铝钝化层（4）、氮化硅减反射层（5）、离子注入磷掺杂层（6）、氮化硅钝化及减反射层（7）、电池的负极（8），在N型硅衬底（1）的上下表面分别设置了电池的正极（3）和电池的负极（8），在电池的正极（3）的下方设置硼掺杂层（2）；在N型硅衬底（1）的上表面设有氧化铝钝化层（4），在氧化铝钝化层（4）的表面设有第一氮化硅减反射层（5）；在N型硅衬底（1）的下表面设有离子注入磷掺杂层（6），在离子注入磷掺杂层（6）的表面设有第二氮化硅减反射层（7）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥特斯维能源（太仓）有限公司，未经奥特斯维能源（太仓）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420253264.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种PVC彩条钢丝增强软管生产装置
- 下一篇：一种横机的导纱器限位和变换装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
