[实用新型]一种石墨烯纳米晶硅太阳能电池有效
申请号: | 201420235967.3 | 申请日: | 2014-05-09 |
公开(公告)号: | CN203812892U | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 伍德亮;罗云荣;李春龙;陈冬妮;凌国亮 | 申请(专利权)人: | 湖南师范大学 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/0687 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410081 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种石墨烯纳米晶硅太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池的结构从上到下依次为:金属上电极、宽帯隙的n型石墨烯、宽帯隙的p型石墨烯、n型纳米晶硅薄膜、p型纳米晶硅薄膜、窄帯隙的n型石墨烯、窄帯隙的p型石墨烯、金属下电极。所述的宽带隙的n型及p型石墨烯用以吸收短波段波长的太阳光;所述的n型及p型纳米晶硅薄膜用以吸收中波段波长的太阳光;所述的窄带隙的n型及p型石墨烯用以吸收长波段波长的太阳光。本实用新型的优点在于以不同带隙的石墨烯和纳米晶硅薄膜相结合,充分吸收太阳各波段光,并利用石墨烯优越的导电性能,从而达到提高太阳电池光电转换效率的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 纳米 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种石墨烯纳米晶硅太阳能电池,其特征是,所述太阳电池的结构从上到下依次为:金属上电极、宽帯隙的n型石墨烯、宽帯隙的p型石墨烯、n型纳米晶硅薄膜、p型纳米晶硅薄膜、窄帯隙的n型石墨烯、窄帯隙的p型石墨烯、金属下电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的