[实用新型]一种光掩膜版有效
| 申请号: | 201420224691.9 | 申请日: | 2014-05-04 |
| 公开(公告)号: | CN203825358U | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
| 发明(设计)人: | 王清蕴;卢子轩;杨晓松 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
| 地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本实用新型提供一种光掩膜版,包括前层图案区及环绕所述前层图案区的切割道区,所述切割道区形成有套刻标记图形区,所述套刻标记图形区还形成有密集线条图形,所述密集线条图形整体为一方形,该方形由其两条对角线划分为四个等腰三角形区域,所述等腰三角形区域由若干垂直于该等腰三角形区域底边的线条图形间隔排列组成。使用本实用新型的光掩膜版制作前层器件结构,会在前层的套刻标记区形成密集线条图形,若在该前层器件结构上制作当层时曝光能量发生异常,则会在前层线条密集区域及套刻区域产生光阻残留,导致套刻精度量测失败,从而实现在套刻精度量测的同时侦测后道铝焊盘是否有因能量的异常而造成的光阻残留。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 光掩膜版 | ||
【主权项】:
一种光掩膜版,包括前层图案区及环绕所述前层图案区的切割道区,所述切割道区形成有套刻标记图形区,其特征在于:所述套刻标记图形区还形成有密集线条图形,所述密集线条图形整体为一方形,该方形由其两条对角线划分为四个等腰三角形区域,所述等腰三角形区域由若干垂直于该等腰三角形区域底边的线条图形间隔排列组成。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





