[实用新型]一种光掩膜版有效
| 申请号: | 201420224691.9 | 申请日: | 2014-05-04 |
| 公开(公告)号: | CN203825358U | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
| 发明(设计)人: | 王清蕴;卢子轩;杨晓松 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
| 地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光掩膜版 | ||
1.一种光掩膜版,包括前层图案区及环绕所述前层图案区的切割道区,所述切割道区形成有套刻标记图形区,其特征在于:所述套刻标记图形区还形成有密集线条图形,所述密集线条图形整体为一方形,该方形由其两条对角线划分为四个等腰三角形区域,所述等腰三角形区域由若干垂直于该等腰三角形区域底边的线条图形间隔排列组成。
2.根据权利要求1所述的光掩膜版,其特征在于:所述等腰三角形区域中,相邻两条线条图形的间距相等。
3.根据权利要求1所述的光掩膜版,其特征在于:所述等腰三角形区域中,所有线条图形的线宽相等。
4.根据权利要求1所述的光掩膜版,其特征在于:相邻两个等腰三角形区域中的线条图形一一对应且相互连接。
5.根据权利要求1所述的光掩膜版,其特征在于:所述线条图形的线宽根据实际刻蚀线条宽度与光阻厚度为1:3的比例设计。
6.根据权利要求1所述的光掩膜版,其特征在于:所述线条图形的线宽根据实际刻蚀线条宽度为0.5微米设计。
7.根据权利要求1所述的光掩膜版,其特征在于:所述线条图形的线宽小于或等于前层器件结构中的最小线宽。
8.根据权利要求1所述的光掩膜版,其特征在于:所述密集线条图形的中心与所述套刻标记图形区的中心重合,且所述密集线条图形中的线条图形与所述套刻标记图形区中的套刻标记正交。
9.根据权利要求1所述的光掩膜版,其特征在于:所述套刻图形区的套刻标记由四条标记条组成,该四条标记条间隔分布于一个方形的四条边上。
10.根据权利要求1所述的光掩膜版,其特征在于:所述光掩膜版为顶层金属掩膜版,用于顶层金属层的光刻。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





