[实用新型]一种基于QLED光源的光刻机有效

专利信息
申请号: 201420210344.0 申请日: 2014-04-28
公开(公告)号: CN203858450U 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 盛晨航;彭娟;李喜峰;张建华 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 陆聪明
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型提供一种基于QLED光源的光刻机,包括发光控制器,QLED阵列,透镜组,图形发生器,投影光路,基片和移动平台;所述QLED阵列安装在发光控制器上,组成QLED光源光学系统;所述透镜组位于QLED光源光学系统的右上方,与QLED阵列同轴,所述图形发生器位于透镜组同轴的右上方,所述投影光路位于图形发生器与移动平台之间,并垂直于移动平台,所述基片固定于移动平台上;所述发光控制器设置QLED阵列的曝光时间和相对辐照强度,所述透镜组用于对光束进行整形,光束经由所述图形发生器以及投影光路实现对基片的曝光。本实用新型采用量子点发光二极管QLED,解决了现有高压汞灯光源使用寿命短、耗能高、温度高和体积大的问题。
搜索关键词: 一种 基于 qled 光源 光刻
【主权项】:
一种基于QLED光源的光刻机,其特征在于,包括发光控制器(1),QLED阵列(3),透镜组(4),图形发生器(5),投影光路(6),基片(7)和移动平台(8);所述QLED阵列(3)安装在发光控制器(1)上,组成QLED光源光学系统(2);所述透镜组(4)位于QLED光源光学系统(2)的右上方,与QLED阵列(3)同轴,所述图形发生器(5)位于透镜组(4)同轴的右上方,所述投影光路(6)位于图形发生器(5)与移动平台(8)之间,并垂直于移动平台(8),所述基片(7)固定于移动平台(8)上;所述发光控制器(1)设置QLED阵列(3)的曝光时间和相对辐照强度,所述透镜组(4)用于对光束进行整形,光束经由所述图形发生器(5)以及投影光路(6)实现对基片(7)的曝光。
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