[实用新型]一种用于硅薄膜太阳电池的复合背电极有效
| 申请号： | 201420192482.0 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN203774346U | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 郝会颖;何明 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（北京） |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吴开磊 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及太阳电池领域，具体而言，涉及一种用于硅薄膜太阳电池的复合背电极。该用于硅薄膜太阳电池的复合背电极，其特征在于，包括：铝箔衬底、ZnO膜以及多个铝纳米片；所述ZnO膜覆盖在所述铝箔衬底上；多个所述铝纳米片均设置在所述ZnO膜远离所述铝箔衬底的一面；其中，所有所述铝纳米片均为不规则的多边形；所述铝箔衬底为矩形，且所述铝箔衬底的厚度为0.5-1厘米；所述ZnO膜为矩形薄膜，且所述ZnO膜的厚度为15-20纳米。本实用新型提供的用于硅薄膜太阳电池的复合背电极，提高了整个背电极的散射效率，极大的增加了光在电池中的传播路程，进而可使得太阳光被电池的有源层更有效的吸收，进而增加电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 薄膜 太阳电池 复合 电极 | ||
【主权项】：
一种用于硅薄膜太阳电池的复合背电极，其特征在于，包括：铝箔衬底、ZnO膜以及多个铝纳米片；所述ZnO膜覆盖在所述铝箔衬底上；多个所述铝纳米片均设置在所述ZnO膜远离所述铝箔衬底的一面；其中，所有所述铝纳米片均为不规则的多边形；所述铝箔衬底为矩形，且所述铝箔衬底的厚度为0.5‑1厘米；所述ZnO膜为矩形薄膜，且所述ZnO膜的厚度为15‑20纳米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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