[实用新型]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的陷光结构有效
申请号: | 201420148549.0 | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN203774348U | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 林清耿;王洋 | 申请(专利权)人: | 惠州市易晖太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 韩淑英 |
地址: | 516025 广东省惠州市惠澳大*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的陷光结构。该铜铟镓硒薄膜太阳能电池包括电池基本单元、及形成在其入光面上的导电薄膜,导电薄膜上形成有具有绒面的陷光结构,入射光经陷光结构散射后进入到电池基本单元的电池吸收层。本实用新型涉及铜铟镓硒薄膜太阳能电池的陷光结构,可在原有铜铟镓硒薄膜电池基本单元的基础上进一步形成陷光结构,使入射光既能在绒面上形成减反射,又能进行散射进入到电池吸收层,不但能够降低电池吸收层的厚度,减少电池/组件的生产成本,还能使薄膜太阳能电池对光的的吸收率得以大幅提高,进一步提高薄膜太阳能电池整体的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】:
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的陷光结构,其包括薄膜太阳能电池基本单元,其由下至上包括基片衬底、前电极导电层、电池吸收层、过渡层、本征氧化锌异质结n型层和窗口层,所述电池吸收层为铜铟镓硒薄膜,所述窗口层作为太阳能电池的入光面,其特征在于,所述陷光结构包括均匀铺设在所述窗口层上表面的微纳米层,所述微纳米层为粒径均匀的微纳米球组成,在所述微纳米层的上表面镀一层导电薄膜,通过超声波清洗去除微纳米球,即为所述陷光结构;入射光经所述陷光结构散射后进入到下方的所述电池吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的