[实用新型]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的陷光结构有效

专利信息
申请号: 201420148549.0 申请日: 2014-03-31
公开(公告)号: CN203774348U 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 林清耿;王洋 申请(专利权)人: 惠州市易晖太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/054 分类号: H01L31/054;H01L31/0236;H01L31/18
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 韩淑英
地址: 516025 广东省惠州市惠澳大*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的陷光结构。该铜铟镓硒薄膜太阳能电池包括电池基本单元、及形成在其入光面上的导电薄膜,导电薄膜上形成有具有绒面的陷光结构,入射光经陷光结构散射后进入到电池基本单元的电池吸收层。本实用新型涉及铜铟镓硒薄膜太阳能电池的陷光结构,可在原有铜铟镓硒薄膜电池基本单元的基础上进一步形成陷光结构,使入射光既能在绒面上形成减反射,又能进行散射进入到电池吸收层,不但能够降低电池吸收层的厚度,减少电池/组件的生产成本,还能使薄膜太阳能电池对光的的吸收率得以大幅提高,进一步提高薄膜太阳能电池整体的光电转换效率。
搜索关键词: 一种 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 结构
【主权项】:
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的陷光结构,其包括薄膜太阳能电池基本单元,其由下至上包括基片衬底、前电极导电层、电池吸收层、过渡层、本征氧化锌异质结n型层和窗口层,所述电池吸收层为铜铟镓硒薄膜,所述窗口层作为太阳能电池的入光面,其特征在于,所述陷光结构包括均匀铺设在所述窗口层上表面的微纳米层,所述微纳米层为粒径均匀的微纳米球组成,在所述微纳米层的上表面镀一层导电薄膜,通过超声波清洗去除微纳米球,即为所述陷光结构;入射光经所述陷光结构散射后进入到下方的所述电池吸收层。
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