[实用新型]一种IBC太阳电池有效
申请号: | 201420139615.8 | 申请日: | 2014-03-26 |
公开(公告)号: | CN203760492U | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 吴坚;龙维绪;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋 |
地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种IBC太阳电池,电池背面设有N+区和P+发射区;硅片背面N+区位置设有银浆,形成N型金属接触;所述N型金属接触为圆形点接触,且呈阵列分布,其直径为50~100微米;所述P型金属层上设有绝缘介质层;所述绝缘介质层上设有第二金属层,第二金属层与其下方的N型金属接触电连接,形成焊接电极。本实用新型引入了绝缘介质层和第二金属层,极大地降低了N型金属接触的直径,实现了效率最大化,在减少金属和半导体接触漏电的同时降低了Ag金属浆料的消耗,实际应用发现,银浆消耗量降低了90%左右,从而大大降低了电池的非硅加工成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 ibc 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种IBC太阳电池,电池背面设有N+区(5)和P+发射区(4),电池背面依次设有钝化层(8)和P型金属层;硅片背面N+区位置设有银浆,形成N型金属接触(6);所述P型金属层穿过钝化层与P+发射区接触,并与N型金属接触之间留有间隙区域;其特征在于:所述N型金属接触为圆形点接触,且呈阵列分布,其直径为50~100微米;所述P型金属层上设有绝缘介质层(10),绝缘介质层覆盖所述间隙区域和P型金属层;绝缘介质层上相对于所述N型金属接触的位置设有开孔;所述绝缘介质层上设有第二金属层(9),第二金属层与其下方的N型金属接触电连接,形成焊接电极;所述第二金属层的焊接拉力大于4N/mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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