[实用新型]电子装置有效
申请号: | 201420082318.4 | 申请日: | 2014-02-26 |
公开(公告)号: | CN203721735U | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | G·格里维纳;G·洛彻尔特 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本实用新型公开了一种电子装置,一个技术问题是解决与现有技术中存在的问题相关的问题。电子装置可包括埋入导电区域和埋入导电区域上方的半导体层。电子装置还可包括水平定向掺杂区域和垂直导电区域,垂直导电区域电连接于水平定向掺杂区域和埋入导电区域。电子装置还可包括覆盖水平定向掺杂区域的绝缘层和覆盖绝缘层和水平定向掺杂区域的第一导电电极,垂直导电区域的部分并非位于第一导电电极下方。电子装置可包括允许肖特基二极管与晶体管并联连接的肖特基接触件。形成电子装置的工艺允许在导电电极、栅极电极、源极区域或二者之后形成垂直导电区域。此外,肖特基接触件可集成到工艺流程中且占据相对较小量的面积。 | ||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种电子装置,其特征在于包括:埋入导电区域;半导体层,其具有主表面和相对表面,其中所述埋入导电区域被布置成比距离所述主表面更接近所述相对表面;水平定向掺杂区域,其与所述主表面相邻;垂直导电区域,其与所述主表面相邻且延伸通过所述半导体层朝向所述埋入导电区域,其中所述垂直导电区域电连接于所述水平定向掺杂区域和所述埋入导电区域;绝缘层,其覆盖所述水平定向掺杂区域和所述垂直导电区域;和第一导电电极,其覆盖所述绝缘层和所述水平定向掺杂区域,其中所述垂直导电区域的一部分并非位于所述第一导电电极下方。
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