[实用新型]一种柔性基底的低电阻复合导电膜有效
| 申请号： | 201420050050.6 | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN204087844U | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 金烈 | 申请（专利权）人： | 深圳市金凯新瑞光电有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14 |
| 代理公司： | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人： | 满群 |
| 地址： | 518157 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高可见光透过率和低面电阻的柔性基底的低电阻复合导电膜。它包括有由PET塑料或PC塑料材料制成的基底层，在所述基底层表面上溅射镀有厚度为25nm-35nm的ITO第一导电层，在ITO第一导电层表面上覆盖溅射镀有厚度为8nm-12nm的AgO和Ag混合后的中间结构层；在AgO和Ag混合后的中间结构层表面上溅射镀有厚度为25nm-35nm的ITO第二导电层。与目前广泛使用的ITO透明导电膜比较，本实用新型的复合导电膜在保持其高可见光透过率的同时，导电性更好，表现为其面电阻可以达到10ohm左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 基底 电阻 复合 导电 | ||
【主权项】：
一种柔性基底的低电阻复合导电膜，包括有由PET塑料或PC塑料材料制成的基底层，其特征在于：在所述基底层表面上溅射镀有厚度为25nm‑35nm的ITO第一导电层，在ITO第一导电层表面上覆盖溅射镀有厚度为8nm‑12nm的低面电阻层；在低面电阻层表面上溅射镀有厚度为25nm‑35nm的ITO第二导电层。
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