[实用新型]一种柔性基底的低电阻复合导电膜

说明书

技术领域

本实用新型涉及用于手机贴膜的技术领域，特指一种高可见光透过率和低面电阻的一种柔性基底的低电阻复合导电膜。 

背景技术

在透明的PET薄膜等柔性基底的材料上层积一层ITO（铟锡氧化物）导电层，形成的ITO/PET柔性导电膜是一种在电子信息产品制造中广泛使用的材料，其面电阻一般在100ohm~400ohm之间，同时，对透过率一般有严格的要求，大部分的基本使用条件是≥86%，而且是越高越好。随着其用途的不断扩展与关联技术的发展，越来越多的应用提出在保持高透过率的同时，要求降低面电阻，有些要求降低至10ohm以内。对于目前普遍采用的在PET材料上的ITO低温沉积成膜技术，这是无法实现的。因为ITO层的特性是厚度增加，面电阻降低，（R□=ρ/ d，ρ：导电率；d：膜层厚度），同时透过率降低。我们可以通过改变成膜条件,得到更低ρ的ITO层，但由于受制于基底材料的有机特性，关键成膜条件的成膜温度受到限制，一般不能高于150℃，因此我们在柔性基材上无法得到低电阻需要的低ρ的ITO层。 

发明内容

本新型的目的就是针对现有技术的不足之处而提供一种高可见光透过率和低面电阻的柔性基底的低电阻复合导电膜。 

为达到上述目的，本新型的技术方案是：一种柔性基底的低电阻复合导电膜，包括有由PET塑料或PC塑料材料制成的基底层，在所述基底层表面上溅射镀有厚度为25nm-35nm的ITO第一导电层，在ITO第一导电层表面上覆盖溅射镀有厚度为8nm-12nm的低面电阻层；在低面电阻层表面上溅射镀有厚度为25nm-35nm的ITO第二导电层。所述低面电阻层定义为本领域普通技术人员均知的低面电阻和高光通过率物质：AgO和Ag混合后的中间结构层。 

所述AgO和Ag混合后的中间结构层中的Ag占AgO和Ag混合后的中间结构层的质量百份比在10%-35%之间，AgO和Ag混合后的中间结构层的其余成份均为AgO。 

采用上述结构后，本新型专利产品充分理解产品在透过率与面电阻方面的要求及二者之间的关系，利用申请人在多层薄膜沉积方面的技术与设备，采用多层ITO通过中间结构层层叠成一复合层的方式，开发了本专利产品:柔性基底高透低阻ITO/AgO复合膜，与目前广泛使用的ITO透明导电膜比较，本新型的复合导电膜在保持其高可见光透过率的同时，导电性更好，表现为其面电阻可以达到10ohm左右。 

附图说明

图1为本新型结构原理示意图。 

具体实施方式

如图1所示，本新型的产品实施例通过卷绕式镀膜机上制成； 

实施例一，

基底层10的材料选用PET塑料，这里基底层10的材料不限于PET塑料，包括PC塑料等柔性有机薄膜材料，首先在真空状态下对材料表面进行镀膜前等离子表面处理；

在所述基底层10表面上溅射镀有ITO第一导电层20，厚度30nm；表面电阻：95ohm；透过率：83%；

然后在ITO第一导电层20表面上覆盖溅射镀有AgO和Ag混合后的中间结构层30，厚度10nm；Ag的比例20%，AgO和Ag混合后的中间结构层30的其余成份为AgO；

最后，在AgO和Ag混合后的中间结构层30表面上溅射镀有ITO第二导电层40，镀膜条件与镀制第1层ITO层保持一致；

得到的复合膜层的参数是：厚度：70nm；表面电阻：12ohm；透过率：87%；

反射率：7.5%。

 调整ITO镀层厚度后的实施例二， 

在所述基底层10表面上溅射镀有ITO第一导电层20，厚度25nm； 

然后在ITO第一导电层表面20上覆盖溅射镀有AgO和Ag混合后的中间结构层30，厚度10nm；Ag的比例20%，AgO和Ag混合后的中间结构层30的其余成份为AgO；

最后，在AgO和Ag混合后的中间结构层30表面上溅射镀有ITO第二导电层40，镀膜条件与镀制第1层ITO层保持一致；

得到的复合膜层的参数是：厚度：60nm；表面电阻：15ohm；透过率：88%；

反射率：6.6%。

 调整ITO镀层厚度后的实施例三， 

在所述基底层10表面上溅射镀有ITO第一导电层20，厚度35nm； 

然后在ITO第一导电层20表面上覆盖溅射镀有AgO和Ag混合后的中间结构层30，厚度10nm；Ag的比例20%，AgO和Ag混合后的中间结构层30的其余成份为AgO；