[实用新型]用于监测集成电路套刻精度的测试结构有效
申请号: | 201420042194.7 | 申请日: | 2014-01-22 |
公开(公告)号: | CN203707088U | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 刘良;柳会雄 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B7/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种用于监测集成电路套刻精度的测试结构,至少包括:设有第一、第二电阻的第一金属层及位于其上方具有若干金属通孔的绝缘层;位于所述两个电阻间且首端连接所述两个电阻的若干平行的第一、第二单元电阻;位于所述绝缘层上方的第二金属层具有水平投影于所述单元电阻间的条形电阻;所述单元电阻与条形电阻在第一金属层上投影间距呈递增或递减;所述两个电阻及条形电阻一端连接焊盘;所述单元电阻末端接触于所述金属通孔且所述第一、第二单元电阻关于条形电阻在第一金属层上的投影呈轴对称或中心对称;所述第一、第二单元电阻间的最小距离小于或等于所述条形电阻宽度。该测试结构可有效监测电路制造过程中的套刻精度,提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 用于 监测 集成电路 精度 测试 结构 | ||
【主权项】:
一种用于监测集成电路套刻精度的测试结构,其特征在于,所述用于监测集成电路套刻精度的测试结构至少包括:设有第一、第二电阻的第一金属层以及位于所述第一金属层上方且具有若干金属通孔的绝缘层;位于所述第一、第二电阻之间且首端分别对应地连接于所述第一、第二电阻的若干彼此平行的第一、第二单元电阻;位于所述绝缘层上方的第二金属层;所述第二金属层具有水平投影于所述第一、第二单元电阻之间的条形电阻;所述若干彼此平行的第一、第二单元电阻与所述条形电阻在所述第一金属层上投影之间的距离分别呈递增或递减;所述第一、第二电阻以及条形电阻一端分别对应地连接用于测试的第一、第二、第三焊盘;所述若干金属通孔分别投影于所述第一、第二单元电阻末端并与之接触;所述第一、第二单元电阻关于所述条形电阻在所述第一金属层上的投影呈轴对称或中心对称分布;所述第一单元电阻与第二单元电阻之间的最小距离小于或等于所述条形电阻的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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