[发明专利]间隙填充方法有效
| 申请号： | 201410858332.3 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104701238B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 朴钟根;徐承柏;P·D·胡斯塔德;李明琦 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 间隙填充方法。提供了间隙填充方法，所述方法包括：(a)提供半导体衬底，所述衬底在衬底的表面上具有起伏图案，起伏图案包括将被填充的多个间隙；(b)在起伏图案上应用间隙填充组合物，其中间隙填充组合物包含可自交联聚合物和溶剂，其中可自交联聚合物包括第一单元，该第一单元包含聚合主链和侧接到主链的可自交联基团；以及(c)在使得聚合物产生自交联的温度下加热间隙填充组分。 | ||
| 搜索关键词： | 间隙 填充 方法 | ||
【主权项】：
1.一种间隙填充方法，所述方法包括：(a)提供半导体衬底，所述衬底在衬底的表面上具有起伏图案，起伏图案包括将被填充的多个间隙；(b)在起伏图案上应用间隙填充组合物，其中间隙填充组合物包含可自交联聚合物和溶剂，其中可自交联聚合物包括第一单元，该第一单元包含聚合主链和侧接到主链的可自交联基团；(c)在使得聚合物产生自交联的温度下加热间隙填充组分；以及(d)进一步加工所述衬底以在所述半导体衬底上形成电子器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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