[发明专利]一种业务恢复方法及装置有效

专利信息
申请号: 201410855551.6 申请日: 2014-12-31
公开(公告)号: CN104572198B 公开(公告)日: 2018-04-10
发明(设计)人: 胡浩涵;刘荣斌;张晋 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G06F9/445 分类号: G06F9/445
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙)44285 代理人: 王仲凯
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例涉及一种业务恢复方法及装置,该方法包括当接收到系统复位重启请求时,保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及DRAM中的部分配置数据,所述DRAM中的部分配置数据为在DRAM初始化过程中需要使用的数据;配置所述DRAM从第一状态切换为第二状态;其中,所述DRAM在所述第一状态下由外部控制器向所述DRAM发送刷新命令以维持所述DRAM中的数据存储状态不变;所述DRAM在所述第二状态下由所述DRAM自身控制所述DRAM执行刷新操作以维持所述DRAM中的数据存储状态不变;对系统进行复位重启操作;配置所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态;利用保存的所述芯片内部状态、芯片内部配置数据以及所述DRAM中的部分配置数据进行业务恢复。本发明可以有效减少业务恢复时间,减少业务中断时间。
搜索关键词: 一种 业务 恢复 方法 装置
【主权项】:
一种业务恢复方法,其特征在于,所述方法包括:当接收到系统复位重启请求时,保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据,所述DRAM中的部分配置数据为在所述DRAM初始化过程中需要使用的数据;配置所述DRAM从第一状态切换为第二状态;其中,所述DRAM在所述第一状态下由外部控制器向所述DRAM发送刷新命令以维持所述DRAM中的数据存储状态不变;所述DRAM在所述第二状态下由所述DRAM自身控制所述DRAM执行刷新操作以维持所述DRAM中的数据存储状态不变;对系统进行复位重启操作;配置所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态,完成对所述DRAM的初始化操作,在初始化过程中仅对DRAM进行有限地址读写操作,所述有限地址读写操作对应的数据与保存的所述DRAM中的部分配置数据具有对应关系;利用保存的所述芯片内部状态、所述芯片内部配置数据以及所述DRAM中的部分配置数据进行业务恢复;其中,所述DRAM中的部分配置数据用于恢复所述DRAM在初始化操作中发生改变的数据。
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