[发明专利]一种业务恢复方法及装置有效
申请号: | 201410855551.6 | 申请日: | 2014-12-31 |
公开(公告)号: | CN104572198B | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 胡浩涵;刘荣斌;张晋 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | G06F9/445 | 分类号: | G06F9/445 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙)44285 | 代理人: | 王仲凯 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 业务 恢复 方法 装置 | ||
1.一种业务恢复方法,其特征在于,所述方法包括:
当接收到系统复位重启请求时,保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据,所述DRAM中的部分配置数据为在所述DRAM初始化过程中需要使用的数据;
配置所述DRAM从第一状态切换为第二状态;其中,所述DRAM在所述第一状态下由外部控制器向所述DRAM发送刷新命令以维持所述DRAM中的数据存储状态不变;所述DRAM在所述第二状态下由所述DRAM自身控制所述DRAM执行刷新操作以维持所述DRAM中的数据存储状态不变;
对系统进行复位重启操作;
配置所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态,完成对所述DRAM的初始化操作,在初始化过程中仅对DRAM进行有限地址读写操作,所述有限地址读写操作对应的数据与保存的所述DRAM中的部分配置数据具有对应关系;
利用保存的所述芯片内部状态、所述芯片内部配置数据以及所述DRAM中的部分配置数据进行业务恢复;其中,所述DRAM中的部分配置数据用于恢复所述DRAM在初始化操作中发生改变的数据。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据包括:
保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据至所述DRAM、硬盘和主机系统中的一个或多个上。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述DRAM在所述系统进行复位重启操作过程中处于所述第二状态。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述外部控制器具体为DRAM控制器,所述配置所述DRAM从第一状态切换为第二状态包括:
判断所述系统是否处于快速恢复模式;
如果是,则由所述DRAM控制器控制所述DRAM从所述第一状态切换为所述第二状态。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述外部控制器具体为DRAM控制器,所述方法还包括:
确定所述DRAM控制器的当前工作模式;所述DRAM控制器的工作模式包括第一工作模式和第二工作模式,其中,所述DRAM控制器在所述第一工作模式下向所述DRAM发送刷新命令以维持所述DRAM中的数据存储状态不变;所述DRAM控制器在所述第二工作模式下向所述DRAM发送复位命令以改变所述DRAM的数据存储状态;
所述配置所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态包括:
当确定所述DRAM控制器的当前工作模式为所述第一工作模式时,由所述DRAM控制器控制所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态,对所述DRAM进行初始化操作,避免对所述DRAM中的数据进行全空间自检操作。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
当确定所述DRAM控制器的当前工作模式为所述第二工作模式时,对所述DRAM进行初始化操作,对所述DRAM中的数据进行全空间自检操作。
7.一种业务恢复装置,其特征在于,所述装置包括:
保存单元,用于当接收到系统复位重启请求时,保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据,所述DRAM中的部分配置数据为在所述DRAM初始化过程中需要使用的数据;
第一配置单元,用于配置所述DRAM从第一状态切换为第二状态;其中,所述DRAM在所述第一状态下由外部控制器向所述DRAM发送刷新命令以维持所述DRAM中的数据存储状态不变;所述DRAM在所述第二状态下由所述DRAM自身控制所述DRAM执行刷新操作以维持所述DRAM中的数据存储状态不变;
复位重启单元,用于对系统进行复位重启操作;
第二配置单元,用于配置所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态,完成对所述DRAM的初始化操作,在初始化过程中仅对DRAM进行有限地址读写操作,所述有限地址读写操作对应的数据与保存的所述DRAM中的部分配置数据具有对应关系;
恢复单元,用于利用所述保存单元保存的所述芯片内部状态、芯片内部配置数据以及所述DRAM中的部分配置数据进行业务恢复;其中,所述DRAM中的部分配置数据用于恢复所述DRAM在初始化操作中发生改变的数据。
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