[发明专利]一种业务恢复方法及装置有效

专利信息
申请号: 201410855551.6 申请日: 2014-12-31
公开(公告)号: CN104572198B 公开(公告)日: 2018-04-10
发明(设计)人: 胡浩涵;刘荣斌;张晋 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G06F9/445 分类号: G06F9/445
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙)44285 代理人: 王仲凯
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 业务 恢复 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种业务恢复方法,其特征在于,所述方法包括:

当接收到系统复位重启请求时,保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据,所述DRAM中的部分配置数据为在所述DRAM初始化过程中需要使用的数据;

配置所述DRAM从第一状态切换为第二状态;其中,所述DRAM在所述第一状态下由外部控制器向所述DRAM发送刷新命令以维持所述DRAM中的数据存储状态不变;所述DRAM在所述第二状态下由所述DRAM自身控制所述DRAM执行刷新操作以维持所述DRAM中的数据存储状态不变;

对系统进行复位重启操作;

配置所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态,完成对所述DRAM的初始化操作,在初始化过程中仅对DRAM进行有限地址读写操作,所述有限地址读写操作对应的数据与保存的所述DRAM中的部分配置数据具有对应关系;

利用保存的所述芯片内部状态、所述芯片内部配置数据以及所述DRAM中的部分配置数据进行业务恢复;其中,所述DRAM中的部分配置数据用于恢复所述DRAM在初始化操作中发生改变的数据。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据包括:

保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据至所述DRAM、硬盘和主机系统中的一个或多个上。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述DRAM在所述系统进行复位重启操作过程中处于所述第二状态。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述外部控制器具体为DRAM控制器,所述配置所述DRAM从第一状态切换为第二状态包括:

判断所述系统是否处于快速恢复模式;

如果是,则由所述DRAM控制器控制所述DRAM从所述第一状态切换为所述第二状态。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述外部控制器具体为DRAM控制器,所述方法还包括:

确定所述DRAM控制器的当前工作模式;所述DRAM控制器的工作模式包括第一工作模式和第二工作模式,其中,所述DRAM控制器在所述第一工作模式下向所述DRAM发送刷新命令以维持所述DRAM中的数据存储状态不变;所述DRAM控制器在所述第二工作模式下向所述DRAM发送复位命令以改变所述DRAM的数据存储状态;

所述配置所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态包括:

当确定所述DRAM控制器的当前工作模式为所述第一工作模式时,由所述DRAM控制器控制所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态,对所述DRAM进行初始化操作,避免对所述DRAM中的数据进行全空间自检操作。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

当确定所述DRAM控制器的当前工作模式为所述第二工作模式时,对所述DRAM进行初始化操作,对所述DRAM中的数据进行全空间自检操作。

7.一种业务恢复装置,其特征在于,所述装置包括:

保存单元,用于当接收到系统复位重启请求时,保存芯片内部状态、芯片内部配置数据以及动态随机存储器DRAM中的部分配置数据,所述DRAM中的部分配置数据为在所述DRAM初始化过程中需要使用的数据;

第一配置单元,用于配置所述DRAM从第一状态切换为第二状态;其中,所述DRAM在所述第一状态下由外部控制器向所述DRAM发送刷新命令以维持所述DRAM中的数据存储状态不变;所述DRAM在所述第二状态下由所述DRAM自身控制所述DRAM执行刷新操作以维持所述DRAM中的数据存储状态不变;

复位重启单元,用于对系统进行复位重启操作;

第二配置单元,用于配置所述DRAM从所述第二状态切换为所述第一状态,完成对所述DRAM的初始化操作,在初始化过程中仅对DRAM进行有限地址读写操作,所述有限地址读写操作对应的数据与保存的所述DRAM中的部分配置数据具有对应关系;

恢复单元,用于利用所述保存单元保存的所述芯片内部状态、芯片内部配置数据以及所述DRAM中的部分配置数据进行业务恢复;其中,所述DRAM中的部分配置数据用于恢复所述DRAM在初始化操作中发生改变的数据。

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