[发明专利]基于SOI阻挡杂质带探测器的制备方法有效
| 申请号： | 201410853962.1 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104576832B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王兵兵;王晓东;潘鸣;侯丽伟;谢巍;臧元章;关冉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200063 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是一种基于SOI阻挡杂质带探测器的制备方法，包括下述步骤：在SOI材料的顶硅层上采用原位掺杂工艺外延生长吸收层；在所述吸收层上重掺杂生长导电层；在所述导电层上键合高阻硅晶圆；通过深硅刻蚀工艺去除所述SOI材料的底硅层；通过湿法腐蚀工艺去除SOI材料的埋氧层；通过离子注入工艺及快速热退火工艺在所述SOI材料的顶硅层上形成电极过渡区；再通过深硅刻蚀工艺形成微台面，并沉积氮化硅钝化层；在所述氮化硅钝化层上腐蚀开孔，并通过电子束蒸发工艺形成正电极和负电极；再通过退火工艺形成电极欧姆接触；通过电子束蒸发工艺加厚所述正电极和所述负电极。本发明的技术方案提高了阻挡杂质带探测器的量子效率和响应率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 阻挡 杂质 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于SOI阻挡杂质带探测器的制备方法，其特征在于，包括：在SOI材料的顶硅层上采用原位掺杂工艺外延生长吸收层；在所述吸收层上重掺杂生长导电层；在所述导电层上键合高阻硅晶圆；通过深硅刻蚀工艺去除所述SOI材料的底硅层；通过湿法腐蚀工艺去除SOI材料的埋氧层；通过离子注入工艺及快速热退火工艺在所述SOI材料的顶硅层上形成电极过渡区；再通过深硅刻蚀工艺形成微台面，并沉积氮化硅钝化层；在所述氮化硅钝化层上腐蚀开孔，并通过电子束蒸发工艺形成正电极和负电极；再通过退火工艺形成电极欧姆接触；通过电子束蒸发工艺加厚所述正电极和所述负电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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