[发明专利]一种自适应存储器装置及方法有效
| 申请号： | 201410853342.8 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105810236B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 丁冲;苏志强;张君宇;张现聚 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;邓猛烈 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自适应存储器装置及方法，其特征在于，包括以下步骤：外界预充电装置分别产生预充电开始信号、场效应管译码信号及虚拟子信号；将预充电开始信号施加于第一反相器的输入端，将所述第一反相器输出信号施加至所述第一场效应管的栅极；将场效应管译码信号施加于所述第二场效应管栅极；将虚拟子线信号施加于所述闪存单元的第二端；将输出信号加至所述第一与非门的第二端，将预充电开始信号施加于所述第一与非门的第一端；输出预充电信号。本发明能够跟随外界工艺、温度及电压的变化调整预充电脉冲，提高存储器在读取过程中的预充电速度，进而提高存储器的读取性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自适应 存储器 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自适应存储器装置，其特征在于,包括：第一反相器、第二反相器、第一与非门、第一场效应管、第二场效应管、闪存单元及外界充电装置；其中，所述外界充电装置包括：外界预充电装置、外界译码装置及虚拟子线；所述第一反相器连接外界预充电装置，所述第一反相器输出端连接所述第一场效应管的栅极，所述第一场效应管漏极连接电源正极，栅极与所述第二反相器的输入端及所述第二场效应管漏极相连；所述第二场效应管栅极与外界译码装置相连，用于接收场效应管的译码信号；所述第二场效应管源极与所述闪存单元的第一端相连；所述闪存单元第二端与虚拟子线相连，所述闪存单元第三端接地；所述第二反相器输出端与所述第一与非门第二端相连，所述第一与非门第一端与所述外界预充电装置相连，接收预充电开始信号。
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