[发明专利]一种复合结构磁路及其制备方法无效
| 申请号： | 201410852719.8 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104505211A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 雷成辉;陈岳;徐明舟;安杨;李西铭 | 申请（专利权）人： | 北京北冶功能材料有限公司 |
| 主分类号： | H01F3/10 | 分类号： | H01F3/10;H01F1/147;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京华谊知识产权代理有限公司11207 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100192北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种复合结构磁路及其制备方法,属于软磁材料技术领域。复合结构磁路由较高磁导率软磁合金与高饱和磁感应强度软磁合金复合而成；在磁路中靠近气隙处，复合一个具有高饱和磁感应强度的材料作为极头，使磁路中的磁通能够集中在极头上，减少漏磁，从而提高气隙中磁感应强度。复合磁路选用较高磁导率的软磁合金1J50与高饱和磁感应强度软磁合金1J22，经加工、焊接及锻造的方法复合在一起，复合后器件气隙处的磁感应强度可达到1.6T以上，解决了单一合金制作的器件气隙中的磁感应强度低的问题。可用于滤波器、电磁铁、微电机、继电器等方面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 结构 磁路 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种复合结构磁路，其特征在于：所述的复合结构磁路由较高磁导率软磁合金与高饱和磁感应强度软磁合金复合而成；其特征在于：在磁路中靠近气隙处，复合一个具有高饱和磁感应强度的材料作为极头，使磁路中的磁通能够集中在极头上，减少漏磁，从而提高气隙中磁感应强度；所述的较高磁导率软磁合金为1J50，高饱和磁感应强度合金为1J22；复合后气隙中的饱和磁感应强度达1.6T以上。
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