[发明专利]能控制TSV深孔镀铜结晶及生长方式的添加剂B及其用途在审
| 申请号： | 201410848603.7 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104532309A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 王溯;于仙仙 | 申请（专利权）人： | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 贾慧琴 |
| 地址： | 201616 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了能控制TSV深孔镀铜结晶及生长方式的添加剂B及其用途；该添加剂B包含按质量百分比计的以下原料：1%-10%的分子量在200-20,000之间的聚乙二醇和聚乙烯醇其中之一或其不同分子量的混合物；0.01%-10%的EO-PO-EO-季胺化合物；0.1-5%的巯基咪唑类化合物；0.1-10%的聚乙烯亚胺及其衍生物；余量为水。本发明提供的添加剂B，可以改变TSV深孔电镀填铜方式，进而改变铜的结晶形态，从而实现TSV微孔的无缺陷沿孔微凸的填充，有效控制铜的结晶形貌及孔口生长方式，降低面铜厚度、TSV深孔孔口微凸起，从而减轻后续CMP制程的压力，降低后续制程成本，大大提高了良率及生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 tsv 镀铜 结晶 生长 方式 添加剂 及其 用途 | ||
【主权项】：
一种能控制TSV深孔镀铜结晶及生长方式的添加剂B，其特征在于，该添加剂B包含按质量百分比计的以下原料：1%‑10%的分子量在200‑20,000之间的聚乙二醇和聚乙烯醇其中之一或其不同分子量的混合物；0.01%‑10%的EO‑PO‑EO‑季胺化合物；0.1‑5%的巯基咪唑类化合物；0.1‑10%的聚乙烯亚胺及其衍生物；余量为水。
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