[发明专利]能控制TSV深孔镀铜结晶及生长方式的添加剂B及其用途

权利要求书

1.一种能控制TSV深孔镀铜结晶及生长方式的添加剂B，其特征在于，该添加剂B包含按质量百分比计的以下原料：1%-10%的分子量在200-20,000之间的聚乙二醇和聚乙烯醇其中之一或其不同分子量的混合物；0.01%-10%的EO-PO-EO-季胺化合物；0.1-5%的巯基咪唑类化合物；0.1-10%的聚乙烯亚胺及其衍生物；余量为水。

2.如权利要求1所述的添加剂B，其特征在于，所述的EO-PO-EO-季胺化合物的通式为：

OH(CH₂CH₂O)m-(CH₂CH₃CHO)n-(CH₂CH₂O)_p-(RCH₂CH₃CH₃N⁺CH₂)_pCl^-

其中，m为1-20，n为4-20，p为1-20 ；R为饱和的或不饱和的不同碳链的季铵盐。

3.如权利要求2所述的添加剂B，其特征在于，所述的不同碳链的季铵盐的碳链选择直链烃基或带支链的烃基。

4.如权利要求1所述的添加剂B，其特征在于，所述的水为超纯水。

5.如权利要求1所述的添加剂B，其特征在于，所述的巯基咪唑类化合物选择巯基苯并咪唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基咪唑、巯基咪唑丙磺酸钠、疏基咪唑丙磺酸、水溶性2-巯基苯并咪唑中的任意一种或几种。

6.一种根据权利要求1所述的添加剂B的用途，其特征在于，该添加剂B作为电镀液添加剂，用于TSV深孔镀铜工艺，能控制TSV深孔镀铜结晶及生长方式。

7.如权利要求6所述的用途，其特征在于，所述的TSV深孔镀铜工艺条件为：电流密度0.01A-10A/dm²，适应温度20-30℃。

8.如权利要求7所述的用途，其特征在于，所述的TSV深孔镀铜的填充方式是通过分步提高电流密度，快速实现TSV深孔的完全填充，降低面铜厚度。

9.如权利要求6所述的用途，其特征在于，所述的电镀液为甲基磺酸铜体系电镀液。

10.一种包含权利要求1所述的添加剂B的电镀液组合物，其特征在于，该电镀液为甲基磺酸铜体系电镀液，该电镀液包含：30-130g/L的铜离子和5-100g/L的甲基磺酸，以及30-80mg/L的氯离子；该电镀液中含有 0.5-20ml/L的加速剂A、1-30ml/L的抑制剂B。