[发明专利]N型薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201410848447.4 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105810747B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李关红;李群庆;金元浩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种N型薄膜晶体管，其包括一半导体碳纳米管层、一栅极、一源极及一漏极设置于一绝缘基底表面，所述栅极、半导体碳纳米管层依次层叠设置于所述绝缘基底表面，且所述栅极与所述半导体碳纳米管层绝缘设置，所述源极及漏极间隔设置且分别与所述半导体碳纳米管层电连接，其中，进一步包括一功能性介质层及氧化镁层，所述功能性介质层设置于所述半导体碳纳米管层远离绝缘基底的表面；一氧化镁层，所述氧化镁层设置于所述半导体碳纳米管层与栅极之间，并且覆盖所述半导体碳纳米管层靠近所述栅极的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种N型薄膜晶体管，其包括一半导体碳纳米管层、一栅极、一源极及一漏极设置于一绝缘基底表面，所述栅极、半导体碳纳米管层依次层叠设置于所述绝缘基底表面，且所述栅极与所述半导体碳纳米管层绝缘设置，所述源极及漏极间隔设置且分别与所述半导体碳纳米管层电连接，其特征在于，进一步包括一功能性介质层及氧化镁层，所述功能性介质层设置于所述半导体碳纳米管层远离绝缘基底的表面，所述功能介质层起到绝缘和静电掺杂的作用，所述功能性介质层的结构中存在正电荷缺陷，在所述氧化镁层的作用之下可以向所述半导体碳纳米管层引入电子；一氧化镁层，所述氧化镁层设置于所述半导体碳纳米管层与栅极之间，并且覆盖所述半导体碳纳米管层靠近所述栅极的表面。
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