[发明专利]一种VGF砷化镓单晶生长新工艺在审
| 申请号： | 201410839945.2 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105803515A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 武壮文;于洪国;赵静敏;周晓霞 | 申请（专利权）人： | 有研光电新材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/42 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 倪中翔 |
| 地址： | 065001 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种VGF砷化镓单晶生长新工艺，包括以下步骤：将砷化镓多晶、籽晶装入PBN坩埚中，放入石英管内抽真空后密封；用1.5小时加热升温到第一区1220℃、第二区1230℃、第三区1233℃、第四区1235℃、第五区1225℃、第六区1222℃，然后保温1小时；加热升温到第三区1253℃，然后保温2小时；加热升温到第三区1262℃、第四区1244℃、第五区1225℃，然后保温1.5小时；然后放肩并等径生长收尾。本发明VGF砷化镓单晶生长新工艺可以大大缩短升温化料和接籽晶的时间，从而提高整个工艺的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vgf 砷化镓单晶 生长 新工艺 | ||
【主权项】：
一种VGF砷化镓单晶生长新工艺，利用一单晶炉，该单晶炉中的加热区域从下到上依次为第一区、第二区、第三区、第四区、第五区和第六区；其特征在于，包括以下步骤：(1)装炉和热偶：将砷化镓多晶、籽晶装入PBN坩埚中，放入石英管内抽真空后密封，使该坩埚内的砷化镓多晶对应该第三区；在该第一区、第二区、第三区、第四区、第五区和第六区分别设测温热偶，另外在该籽晶的头部和尾部、放肩部分末端和晶体生长尾部也分别设测温热偶；(2)升温：用1.5小时加热升温到第一区1220℃、第二区1230℃、第三区1233℃、第四区1235℃、第五区1225℃、第六区1222℃，然后保温1小时；(3)化料：加热升温到第一区1220℃、第二区1230℃、第三区1253℃、第四区1235℃、第五区1225℃、第六区1222℃，然后保温2小时；(4)接籽晶：加热升温到第一区1220℃、第二区1230℃、第三区1262℃、第四区1244℃、第五区1225℃、第六区1222℃，然后保温1.5小时；(5)放肩：降温到第一区1220℃、第二区1230℃、第三区1255℃、第四区1235℃、第五区1225℃、第六区1222℃，然后保温3.5小时；降温到第一区1220℃、第二区1230℃、第三区1250℃、第四区1235℃、第五区1225℃、第六区1222℃，然后保温15小时；降温到第一区1220℃、第二区1230℃、第三区1233℃、第四区1235℃、第五区1225℃、第六区1222℃，然后用保温30小时；控制温度到第一区1215℃、第二区1225℃、第三区1228℃、第四区1235℃、第五区1227℃、第六区1224℃，然后保温35小时；(6)等径生长收尾。
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