[发明专利]一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法

摘要

一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法，属于纳米晶薄膜材料制备技术领域。本发明以氧氯化锆为锆源，硝酸钇为掺杂剂，草酸为沉淀剂，来制备8％摩尔钇掺杂的稳定立方相氧化锆溶胶(记作8YSZ)。溶胶的制备过程均在室温下进行，使得操作更为简便。用单晶Si片作为衬底，结合旋转涂膜，然后退火处理的方法，制备出了立方相的ZrO2薄膜。薄膜表面平整无裂纹，在相对较低的热处理温度下就可以获得纯的立方相，并且薄膜的晶粒非常小，而且分布均匀。

主权项

一种立方相氧化锆纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于制备步骤如下：1)、分别采用分析纯ZrOCl2·8H2O为锆源，Y(NO3)3·6H2O为钇源，加入去离子水配制成浓度为0.4‑0.8mol/L的ZrOCl2溶液；2)、以H2C2O4·2H2O为沉淀剂，加入去离子水，配制成H2C2O4溶液；将ZrOCl2溶液缓慢滴加到H2C2O4溶液中，制备成溶胶前驱体；3)、以聚乙烯醇(PVA)溶液作为分散剂，乙酰丙酮作为溶胶稳定剂，分别加入到溶胶前驱体当中；4)、旋涂；以单晶Si作为衬底，匀胶机的转速为7000‑9000r/min，旋转时间为50‑100s；5)、分级干燥处理，80℃保温15‑30min，50℃保温30‑60min，30℃保温30‑60min；将干燥好的薄膜进行预烧结处理后再重复旋涂的步骤进行多次涂膜；6)、烧结：涂膜阶段完成后，进行烧结处理，即可获得稳定立方相的氧化锆薄膜。