[发明专利]一种基于碳纳米管薄膜晶体管的CMOS反相器的制作方法

摘要

本申请公开了一种基于碳纳米管薄膜晶体管的CMOS反相器的制作方法以及一种在同一基底上对p型碳纳米管薄膜晶体管进行极性转换的方法，通过本发明可以实现在同一个基底上选择性的对p型晶体管实现极性转换成n型晶体管或双极性晶体管，进而构建互补型反相器电路。具有工艺简单，极性维持稳定，性能优异，大面积制备等等优势。

主权项

一种基于碳纳米管薄膜晶体管的CMOS反相器的制作方法，其特征在于，包括步骤：s1、在同一基底上制作第一碳纳米管薄膜晶体管和第二碳纳米管薄膜晶体管；s2、在第二碳纳米管薄膜晶体管的有源层上制作一层钝化层作为保护层，该钝化层为绝缘的可以溶液化的高分子聚合物；s3、采用介电材料对第一碳纳米管薄膜晶体管沟道间的有源层进行掺杂，使其极性转化为n型或双极性；s4、通过导电物质电性连接第一碳纳米管薄膜晶体管和第二碳纳米管薄膜晶体管，形成CMOS反相器。