[发明专利]用于除去氮化钛硬掩模和蚀刻残留物的组合物有效
| 申请号： | 201410806917.0 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104730870B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | W·J·小卡斯特尔;稻冈诚二;M·B·劳;B·F·罗斯;李翊嘉;刘文达;陈天牛 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于剥除氮化钛(TiN或TiNxOy)硬掩模和除去蚀刻残留物的水性组合物是低pH水性组合物，其包含溶剂、弱配位阴离子、胺和至少两种非氧化性痕量金属离子。所述水性组合物不包含非环境氧化剂，并暴露于空气。可以向所述水性组合物添加二氟化物或金属腐蚀抑制剂。用于剥除氮化钛(TiN或TiNxOy)硬掩模和除去氮化钛(TiN或TiNxOy)蚀刻残留物的体系和方法利用所述水性组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 除去 氮化 钛硬掩模 蚀刻 残留物 组合 | ||
【主权项】：
用于从包含Cu、W、低k电介质材料和氮化钛(TiN或TiNxOy)的半导体器件选择性除去氮化钛的水性组合物，所述组合物包含：弱配位阴离子，其具有高度分散在它的整个结构中的负电荷；胺盐缓冲剂；至少两种非氧化性痕量金属离子；和其余是选自水、二醇、丙二醇、乳酸、乙酸、环丁砜类、二甲亚砜、烷基砜及其组合的溶剂；其中所述水性组合物(1)不包含非环境氧化剂；(2)暴露于空气；和(3)具有小于7的pH；任选地，所述水性组合物还包含<2000ppm的量的腐蚀抑制剂，其选自苯并三唑和取代的苯并三唑；烷基胺和包括己胺和辛胺的烷基胺；聚乙烯亚胺和聚乙烯亚胺与羧酸的组合，所述羧酸包括柠檬酸和丙二酸；咪唑；半胱氨酸和取代的半胱氨酸；胱氨酸和取代的胱氨酸；三唑和取代的三唑；亚氨基二乙酸；硫脲；苯并咪唑；香草醛；儿茶酚类；及其组合；和/或任选地，所述水性组合物还包含<4000ppm的量的二氟化物。
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