[发明专利]导电膜和包括其的电子器件有效
| 申请号： | 201410771979.2 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104715806B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 孙崙喆;柳秉纪;李相睦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及导电膜和包括其的电子器件。提供透明导电膜，其包括具有二维电子气层并且具有小于或等于约30Ω/□的在25℃下对于具有约550nm的波长的光的吸收系数(α)与其电阻率值(ρ)的乘积的化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 包括 电子器件 | ||
【主权项】：
1.导电膜，其包括具有层状晶体结构的化合物，其中所述化合物选自：由M2O表示的过渡元素低价氧化物，其中M为Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Ag、或其组合；由A3O、A2O、A6O或A7O表示的碱金属低价氧化物，其中A为Cs、Rb、K、Na、或其组合；由M3E2、M2E、M5E、M5E2、或M4E3表示的富过渡金属的硫属化物，其中M为Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Ag、或其组合，且E为S、Se或Te；和由M2X或MX表示的过渡金属低价卤化物，其中M为Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mn、Tc、Re、Ag、或其组合，且X为F、Cl、Br或I，其中所述导电膜具有小于或等于100nm的厚度且对于550nm的光具有大于或等于80％的透射率，和其中所述化合物具有小于或等于30Ω/□的在25℃下对于具有550nm的波长的光的吸收系数(α)与其电阻率值(ρ)的乘积。
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